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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第215位 199件 (2010年:第1800位 14件)
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第185位 194件 (2010年:第841位 28件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特開 2011-214032 | ブレーキパッド用銅粉 | 2011年10月27日 | |
特開 2011-216463 | 圧延銅箔、並びにこれを用いた負極集電体、負極板及び二次電池 | 2011年10月27日 | |
特開 2011-214080 | 銀メッキ銅微粉及びその製造方法 | 2011年10月27日 | |
特開 2011-214040 | α線量が少ない銀又は銀を含有する合金及びその製造方法 | 2011年10月27日 | |
再表 2009-147969 | スパッタリングターゲット及び非晶質性光学薄膜 | 2011年10月27日 | |
特開 2011-214036 | 電池接続タブ材料用Cu−Zn系合金条 | 2011年10月27日 | |
特開 2011-214092 | セレン及びテルルを含む還元滓の処理方法 | 2011年10月27日 | |
特開 2011-214066 | 光沢ニッケルめっき材、光沢ニッケルめっき材を用いた電子部品、及び、光沢ニッケルめっき材の製造方法 | 2011年10月27日 | |
特開 2011-214739 | ガス化炉の増処理方法 | 2011年10月27日 | |
特開 2011-216549 | GaN系半導体エピタキシャル基板の製造方法 | 2011年10月27日 | |
特開 2011-213503 | ヒータ、結晶成長装置及び化合物半導体単結晶の製造方法 | 2011年10月27日 | |
特開 2011-214018 | 冷却ドラム及びそれを備えた真空処理装置、並びに表面処理方法 | 2011年10月27日 | |
再表 2009-147900 | タングステン焼結体スパッタリングターゲット | 2011年10月27日 | |
特開 2011-216584 | 半導体デバイスの製造方法 | 2011年10月27日 | |
特開 2011-214132 | コバルトを回収する方法 | 2011年10月27日 |
199 件中 31-45 件を表示
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2011-214032 2011-216463 2011-214080 2011-214040 2009-147969 2011-214036 2011-214092 2011-214066 2011-214739 2011-216549 2011-213503 2011-214018 2009-147900 2011-216584 2011-214132
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11月28日(木) - 東京 港区
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11月28日(木) - 京都 京都市
11月28日(木) -
11月28日(木) - 大阪 大阪市
11月28日(木) -
11月29日(金) - 東京 港区
11月29日(金) - 茨城 ひたちなか市
11月30日(土) -
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12月6日(金) - 愛知 豊橋市花田町
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