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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第215位 199件
(2010年:第1800位 14件)
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第185位 194件
(2010年:第841位 28件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特開 2011-204931 | III−V族化合物半導体の気相成長方法 | 2011年10月13日 | |
特開 2011-202239 | 金属の表面処理剤 | 2011年10月13日 | |
特開 2011-202216 | 燃料電池用セパレータ材料、それを用いた燃料電池用セパレータ及び燃料電池スタック、並びに燃料電池用セパレータ材料の製造方法 | 2011年10月13日 | |
特開 2011-202258 | 水素透過性合金及びこれを利用した水素透過膜 | 2011年10月13日 | |
特開 2011-202276 | 透明電極膜 | 2011年10月13日 | |
特開 2011-204560 | 冷陰極管用電極の製造治具及び冷陰極管用電極の製造方法 | 2011年10月13日 | |
特開 2011-195881 | 強度、導電率及び曲げ加工性に優れたチタン銅及びその製造方法 | 2011年10月 6日 | |
特開 2011-195927 | 電子材料用銅合金及びその製造方法 | 2011年10月 6日 | |
特開 2011-198772 | リチウムイオン二次電池正極材料用前駆体 | 2011年10月 6日 | |
特開 2011-195920 | ラテライト鉱石の処理方法 | 2011年10月 6日 | |
特開 2011-190520 | 硫化銅鉱の浸出方法 | 2011年 9月29日 | |
特開 2011-187178 | リチウムイオン電池用正極及びその製造方法 | 2011年 9月22日 | |
特開 2011-187419 | リチウムイオン電池用正極、及び、リチウムイオン電池 | 2011年 9月22日 | |
特開 2011-184728 | 無電解めっき前処理剤 | 2011年 9月22日 | |
特開 2011-187592 | NGO基板、窒化物系化合物半導体基板の製造方法、窒化物系化合物半導体基板及び窒化物系化合物半導体自立基板 | 2011年 9月22日 |
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2011-204931 2011-202239 2011-202216 2011-202258 2011-202276 2011-204560 2011-195881 2011-195927 2011-198772 2011-195920 2011-190520 2011-187178 2011-187419 2011-184728 2011-187592
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5月28日(水) - 東京 港区
5月28日(水) - 東京 千代田区
5月28日(水) - 東京 中央区
5月28日(水) -
5月28日(水) -
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5月29日(木) - 東京 品川区
5月29日(木) - 東京 新宿区
5月29日(木) -
5月29日(木) -
5月30日(金) -
5月30日(金) -
5月28日(水) - 東京 港区
6月4日(水) -
6月4日(水) -
6月4日(水) -
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