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■ 2012年 出願公開件数ランキング 第176位 256件 (2011年:第215位 199件)
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第224位 173件 (2011年:第185位 194件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2012-197503 | Cu−Ni−Si系合金及びその製造方法 | 2012年10月18日 | |
特開 2012-197466 | 充電用電池タブ材に用いられる銅合金条 | 2012年10月18日 | |
再表 2010-113583 | リチウムイオン電池用正極活物質 | 2012年10月11日 | |
特開 2012-193408 | 曲げ加工性に優れたCu−Ni−Si系合金 | 2012年10月11日 | |
再表 2010-113638 | スパッタリング用ランタンターゲット | 2012年10月11日 | |
特開 2012-193439 | 金属マンガン電解採取のための電解槽設備 | 2012年10月11日 | |
再表 2010-113715 | ショットキー接合FETおよびその製造方法 | 2012年10月11日 | |
再表 2010-113343 | 電磁波シールド材及び電磁波シールド材の製造方法 | 2012年10月 4日 | |
再表 2010-110412 | Ti−Nb系酸化物焼結体スパッタリングターゲット、Ti−Nb系酸化物薄膜及び同薄膜の製造方法 | 2012年10月 4日 | |
特開 2012-188725 | ヨウ化物イオンと鉄(II)イオンを含む酸性溶液の酸化処理方法 | 2012年10月 4日 | |
特開 2012-188697 | 銅の浸出方法 | 2012年10月 4日 | |
特開 2012-188689 | Cu−Ni−Si系合金及びその製造方法 | 2012年10月 4日 | |
特開 2012-188680 | 電子部品用チタン銅 | 2012年10月 4日 | |
特開 2012-188760 | 銅アノード又は含燐銅アノード、半導体ウエハへの電気銅めっき方法及びパーティクル付着の少ない半導体ウエハ | 2012年10月 4日 | |
特開 2012-190550 | 冷陰極蛍光ランプ用電極及びその製造方法 | 2012年10月 4日 |
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2012-197503 2012-197466 2010-113583 2012-193408 2010-113638 2012-193439 2010-113715 2010-113343 2010-110412 2012-188725 2012-188697 2012-188689 2012-188680 2012-188760 2012-190550
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11月25日(月) -
11月25日(月) - 岐阜 各務原市
11月26日(火) -
11月26日(火) - 東京 港区
11月26日(火) -
11月26日(火) -
11月26日(火) -
11月27日(水) - 東京 港区
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月28日(木) - 東京 港区
11月28日(木) - 島根 松江市
11月28日(木) - 京都 京都市
11月28日(木) -
11月28日(木) - 大阪 大阪市
11月28日(木) -
11月29日(金) - 東京 港区
11月29日(金) - 茨城 ひたちなか市
11月30日(土) -
12月1日(日) -
12月1日(日) -
11月25日(月) -
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