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■ 2012年 出願公開件数ランキング 第176位 256件 (2011年:第215位 199件)
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第224位 173件 (2011年:第185位 194件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
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再表 2010-110064 | ジルコニウムるつぼ | 2012年 9月27日 | |
特開 2012-183583 | グラフェン製造用銅箔及びそれを用いたグラフェンの製造方法 | 2012年 9月27日 | |
特開 2012-183581 | グラフェン製造用銅箔及びそれを用いたグラフェンの製造方法 | 2012年 9月27日 | |
再表 2010-110134 | スパッタリング用ランタンターゲット | 2012年 9月27日 | |
特開 2012-186211 | プリント配線板用銅箔及びそれを用いた積層板 | 2012年 9月27日 | |
再表 2010-110259 | 二層フレキシブル基板、及びその製造に用いる銅電解液 | 2012年 9月27日 | |
再表 2010-110092 | プリント配線板用銅箔及びその製造方法 | 2012年 9月27日 | |
再表 2010-110061 | 電気抵抗膜付き金属箔及びその製造方法 | 2012年 9月27日 | |
特開 2012-184462 | 硫化鉱からの銅及び金の浸出方法 | 2012年 9月27日 | |
再表 2010-110033 | 非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット | 2012年 9月27日 | |
特開 2012-184498 | 電磁波シールド用電解銅箔及びその製造方法 | 2012年 9月27日 | |
再表 2010-110062 | フレキシブル基板及びその製造方法 | 2012年 9月27日 | |
特開 2012-180555 | インジウムターゲット及びその製造方法 | 2012年 9月20日 | |
特開 2012-178377 | GaN系半導体基板の製造方法 | 2012年 9月13日 | |
特開 2012-172198 | 電解銅箔及びその製造方法 | 2012年 9月10日 |
255 件中 106-120 件を表示
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2010-110064 2012-183583 2012-183581 2010-110134 2012-186211 2010-110259 2010-110092 2010-110061 2012-184462 2010-110033 2012-184498 2010-110062 2012-180555 2012-178377 2012-172198
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11月25日(月) -
11月25日(月) - 岐阜 各務原市
11月26日(火) -
11月26日(火) - 東京 港区
11月26日(火) -
11月26日(火) -
11月26日(火) -
11月27日(水) - 東京 港区
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月28日(木) - 東京 港区
11月28日(木) - 島根 松江市
11月28日(木) - 京都 京都市
11月28日(木) -
11月28日(木) - 大阪 大阪市
11月28日(木) -
11月29日(金) - 東京 港区
11月29日(金) - 茨城 ひたちなか市
11月30日(土) -
12月1日(日) -
12月1日(日) -
11月25日(月) -
特許業務法人 藤本パートナーズ 株式会社ネットス 株式会社パトラ
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