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■ 2013年 出願公開件数ランキング 第158位 313件 (2012年:第176位 256件)
■ 2013年 特許取得件数ランキング 第176位 235件 (2012年:第224位 173件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
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特許 5358586 | 電子回路用の圧延銅箔又は電解銅箔及びこれらを用いた電子回路の形成方法 | 2013年12月 4日 | |
特許 5358740 | キャリア付銅箔、それを用いた銅張積層板、プリント配線板、プリント回路板、及び、プリント配線板の製造方法 | 2013年12月 4日 | |
特許 5356714 | エッチング性に優れたフレキシブルプリント基板用銅合金箔及びそれを用いたフレキシブルプリント基板 | 2013年12月 4日 | |
特許 5351012 | リチウム二次電池用電解銅箔及び該銅箔の製造方法 | 2013年11月27日 | |
特許 5352750 | 導電性及び曲げたわみ係数に優れる銅合金板 | 2013年11月27日 | |
特許 5352748 | キャリア付銅箔、それを用いた銅張積層板、プリント配線板、プリント回路板、及び、プリント配線板の製造方法 | 2013年11月27日 | |
特許 5352245 | 化合物半導体単結晶の製造方法および結晶成長装置 | 2013年11月27日 | |
特許 5347074 | 極薄銅箔及びその製造方法、極薄銅層、並びにプリント配線板 | 2013年11月20日 | |
特許 5349583 | Ti−Nb系酸化物焼結体スパッタリングターゲット、Ti−Nb系酸化物薄膜及び同薄膜の製造方法 | 2013年11月20日 | |
特許 5345974 | 圧延銅合金箔、並びにこれを用いた負極集電体、負極板及び二次電池 | 2013年11月20日 | |
特許 5349587 | 酸化インジウム焼結体、酸化インジウム透明導電膜及び該透明導電膜の製造方法 | 2013年11月20日 | |
特許 5346096 | 高融点金属合金、高融点金属珪化物、高融点金属炭化物、高融点金属窒化物あるいは高融点金属ホウ化物の難焼結体からなるターゲット及びその製造方法並びに同スパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体及びその製造方法 | 2013年11月20日 | |
特許 5345924 | プリント配線板用銅箔 | 2013年11月20日 | |
特許 5346408 | 電気抵抗膜を備えた金属箔及びその製造方法 | 2013年11月20日 | |
特許 5345952 | a−IGZO酸化物薄膜の製造方法 | 2013年11月20日 |
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5358586 5358740 5356714 5351012 5352750 5352748 5352245 5347074 5349583 5345974 5349587 5346096 5345924 5346408 5345952
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11月28日(木) - 大阪 大阪市
11月28日(木) -
11月29日(金) - 東京 港区
11月29日(金) - 茨城 ひたちなか市
11月30日(土) -
12月1日(日) -
12月1日(日) -
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