ホーム > 特許ランキング > DOWAエレクトロニクス株式会社 > 2012年 > 出願公開一覧
※ ログインすれば出願人(DOWAエレクトロニクス株式会社)をリストに登録できます。ログインについて
■ 2012年 出願公開件数ランキング 第772位 40件
(2011年:第584位 60件)
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第392位 92件
(2011年:第398位 83件)
(ランキング更新日:2025年5月28日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
2011年 2013年 2014年 2015年 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年 2025年
公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特開 2012-62531 | フレーク状銀粉とその製造方法、樹脂硬化型導電性ペーストおよび導電膜の形成方法 | 2012年 3月29日 | |
特開 2012-53195 | 再生キャリアの製造方法、再生キャリア、再生キャリアのキャリア芯材、電子写真現像剤、および電子写真現像剤の製造方法 | 2012年 3月15日 | 共同出願 |
特開 2012-49520 | 半導体素子と半導体素子の製造方法 | 2012年 3月 8日 | |
特開 2012-48256 | 電子写真現像剤用キャリア芯材、電子写真現像剤用キャリア、および電子写真現像剤 | 2012年 3月 8日 | 共同出願 |
特開 2012-25640 | フェライト粒子及びそれを用いた電子写真現像用キャリア、電子写真用現像剤並びにフェライト粒子の製造方法 | 2012年 2月 9日 | 共同出願 |
特開 2012-23314 | III族窒化物エピタキシャル基板 | 2012年 2月 2日 | |
特開 2012-18783 | 導電性ペースト | 2012年 1月26日 | |
特開 2012-9564 | ウェハの薄厚化加工方法および半導体デバイスの製造方法 | 2012年 1月12日 | |
特開 2012-6829 | SiドープGaAs単結晶インゴットおよびその製造方法、並びに、当該SiドープGaAs単結晶インゴットから製造されたSiドープGaAs単結晶ウェハ | 2012年 1月12日 | |
特開 2012-2868 | 電子写真現像剤用キャリア芯材、電子写真現像剤用キャリア、電子写真現像剤、および電子写真現像剤用キャリア芯材の製造方法 | 2012年 1月 5日 | 共同出願 |
40 件中 31-40 件を表示
※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。
このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー
2012-62531 2012-53195 2012-49520 2012-48256 2012-25640 2012-23314 2012-18783 2012-9564 2012-6829 2012-2868
※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。DOWAエレクトロニクス株式会社の知財の動向チェックに便利です。
5月28日(水) - 東京 港区
5月28日(水) - 東京 千代田区
5月28日(水) - 東京 中央区
5月28日(水) -
5月28日(水) -
5月29日(木) - 東京 港区
5月29日(木) - 東京 品川区
5月29日(木) - 東京 新宿区
5月29日(木) -
5月29日(木) -
5月30日(金) -
5月30日(金) -
5月28日(水) - 東京 港区
6月4日(水) -
6月4日(水) -
6月4日(水) -
6月5日(木) -
6月6日(金) -
大阪市天王寺区上本町六丁目9番10号 青山ビル本館3階 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
大阪府大阪市中央区北浜3丁目5-19 淀屋橋ホワイトビル2階 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
〒104-0045 東京都中央区築地1-12-22 コンワビル4F 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング