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ルネサスエレクトロニクス株式会社
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■ 2017年 出願公開件数ランキング 第98位 525件
（
2016年：第100位 430件）
■ 2017年 特許取得件数ランキング 第115位 282件
（
2016年：第67位 431件）
（ランキング更新日：2025年9月11日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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ルネサスエレクトロニクス株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 6207422 | 電子装置 | 2017年10月 4日 | |
| 特許 6207676 | パワーＭＯＳＦＥＴ | 2017年10月 4日 | |
| 特許 6207871 | 半導体装置及びインバータシステム | 2017年10月 4日 | |
| 特許 6208971 | 半導体装置、及び半導体装置の製造方法 | 2017年10月 4日 | |
| 特許 6208993 | 画像復号装置及び画像復号装置の復号処理方法 | 2017年10月 4日 | |
| 特許 6209042 | データ処理装置 | 2017年10月 4日 | |
| 特許 6203549 | 半導体装置 | 2017年 9月27日 | |
| 特許 6203915 | 半導体装置 | 2017年 9月27日 | |
| 特許 6205261 | 半導体装置 | 2017年 9月27日 | |
| 特許 6205505 | 半導体装置及びその制御方法 | 2017年 9月27日 | |
| 特許 6199601 | 半導体装置 | 2017年 9月20日 | |
| 特許 6199670 | 半導体装置およびその製造方法 | 2017年 9月20日 | |
| 特許 6200227 | 半導体装置 | 2017年 9月20日 | |
| 特許 6200236 | 電子装置 | 2017年 9月20日 | |
| 特許 6200317 | バックゲートバイアス用に改造されたチャネルコアを有する電界効果トランジスタおよび製造方法 | 2017年 9月20日 |
287 件中 76-90 件を表示
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6207422 6207676 6207871 6208971 6208993 6209042 6203549 6203915 6205261 6205505 6199601 6199670 6200227 6200236 6200317
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