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■ 2022年 出願公開件数ランキング 第1470位 16件
(
2021年:第2408位 8件)
■ 2022年 特許取得件数ランキング 第2052位 9件
(
2021年:第2016位 8件)
(ランキング更新日:2026年10月19日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特表 2022-545059 | RFベース注入器におけるエネルギーおよびビーム電流を向上させる方法 | 2022年10月25日 | |
| 特開 2022-137154 | 炭素注入用のホスフィン複合ガス | 2022年 9月21日 | |
| 特表 2022-539757 | 有害ガス制御の後処理 | 2022年 9月13日 | |
| 特表 2022-534997 | 分子状炭素の注入のためのイオン源の寿命を延長させるためのシステムおよび方法 | 2022年 8月 4日 | |
| 特表 2022-534379 | イオン注入システムのための改良された荷電ストリッピング | 2022年 7月29日 | |
| 特表 2022-531137 | 高出力ウェハー冷却 | 2022年 7月 6日 | |
| 特表 2022-529606 | 複数のアークチャンバを備えるイオン源 | 2022年 6月23日 | |
| 特表 2022-525891 | 液体金属イオン源 | 2022年 5月20日 | |
| 特表 2022-520363 | リアルタイムドーズ制御のために光学素子の屈曲部におけるビーム電流の推測のための上流電流測定値および下流電流測定値をミックスする方法 | 2022年 3月30日 | |
| 特表 2022-518122 | 半導体処理装置のための加熱チャンバーハウジングを介したチャンバ壁上での凝縮ガスの低減 | 2022年 3月14日 | |
| 特表 2022-517532 | 半導体処理装置のためのパージガス希釈および排気を介したチャンバ壁上での凝縮ガスの低減 | 2022年 3月 9日 | |
| 特表 2022-515025 | イオン源のためのテトロード引出装置 | 2022年 2月17日 | |
| 特表 2022-515028 | サーモカップル埋込エンドエフェクタを用いた半導体処理装置のためのウェハソーク温度のリードバックおよび制御 | 2022年 2月17日 | |
| 特表 2022-512302 | ハイスループット走査ビームイオン注入装置のための走査磁石および補正磁石の設計 | 2022年 2月 3日 | |
| 特表 2022-510966 | テーラード引出し開口を有するイオン源 | 2022年 1月28日 |
16 件中 1-15 件を表示
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2022-545059 2022-137154 2022-539757 2022-534997 2022-534379 2022-531137 2022-529606 2022-525891 2022-520363 2022-518122 2022-517532 2022-515025 2022-515028 2022-512302 2022-510966
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