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■ 2021年 出願公開件数ランキング 第569位 56件
(2020年:第1415位 17件)
■ 2021年 特許取得件数ランキング 第9350位 1件
(2020年:第24204位 0件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2021-118355 | 反応チャンバ圧力の安定化のためのシステム及び方法 | 2021年 8月10日 | |
特開 2021-114602 | 高アスペクト比特徴部を形成する方法 | 2021年 8月 5日 | |
特開 2021-109175 | ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム | 2021年 8月 2日 | |
特開 2021-111783 | チャネル付きリフトピン | 2021年 8月 2日 | |
特開 2021-111788 | インジェクター | 2021年 8月 2日 | |
特開 2021-97227 | 窒化バナジウム層および窒化バナジウム層を含む構造体を形成する方法 | 2021年 6月24日 | |
特開 2021-91968 | 基板処理装置、べベルマスク、基板処理方法 | 2021年 6月17日 | |
特表 2021-514027 | 周期的堆積プロセスによって基材上に遷移金属含有膜を形成する方法、遷移金属ハロゲン化物化合物を反応チャンバーに供給する方法、及び関連蒸着装置 | 2021年 6月 3日 | |
特開 2021-82817 | シリコンで充填されたギャップを有する半導体デバイスを提供するための方法 | 2021年 5月27日 | |
特表 2021-511658 | 堆積方法 | 2021年 5月 6日 | |
特開 2021-66959 | 膜堆積プロセスにおける通常のパルスプロファイルの修正 | 2021年 4月30日 | |
特開 2021-68892 | 膜を選択的にエッチングするための装置および方法 | 2021年 4月30日 | |
特開 2021-64784 | 垂直バッチ炉組立品 | 2021年 4月22日 | |
特開 2021-64788 | 酸化シリコンの形態選択的な膜形成方法 | 2021年 4月22日 | |
特開 2021-61397 | 周期的プラズマ増強堆積プロセスによって形状選択的な酸化シリコン膜を形成する方法 | 2021年 4月15日 |
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2021-118355 2021-114602 2021-109175 2021-111783 2021-111788 2021-97227 2021-91968 2021-514027 2021-82817 2021-511658 2021-66959 2021-68892 2021-64784 2021-64788 2021-61397
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6月13日(金) -
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6月19日(木) - 大阪 大阪市
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6月20日(金) - 東京 千代田区
6月20日(金) - 東京 千代田区
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6月16日(月) - 東京 大田
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