ホーム > 特許ランキング > エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー > 2026年の出願公開
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■ 2026年 出願公開件数ランキング 第326位 84件
(
2025年:第295位 111件)
■ 2026年 特許取得件数ランキング 第461位 44件
(
2025年:第395位 67件)
(ランキング更新日:2026年10月23日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2026-169784 | 寄生プラズマ低減デバイスおよびそれを有する基材処理装置 | 2026年10月20日 | |
| 特開 2026-169179 | トゥームストーン構造システムおよび方法 | 2026年10月16日 | |
| 特開 2026-169178 | 熱管理システムおよび方法 | 2026年10月16日 | |
| 特開 2026-169165 | 反応器システム用シールシステム | 2026年10月16日 | |
| 特開 2026-169164 | 下地層を形成するための方法、半導体構造、および反応器システム | 2026年10月16日 | |
| 特開 2026-167600 | ウエハボート | 2026年10月14日 | |
| 特開 2026-164956 | 極紫外線照射量低減に適したドープ下地層 | 2026年10月 9日 | |
| 特開 2026-143361 | 遷移金属含有膜を堆積させるための方法およびシステム | 2026年 9月 8日 | |
| 特開 2026-140690 | 支持構造 | 2026年 9月 2日 | |
| 特開 2026-137087 | 基材サセプタアセンブリ | 2026年 8月26日 | |
| 特開 2026-137086 | 垂直チャネルトランジスタ構造の少なくとも一部を含む半導体層スタックを形成する方法 | 2026年 8月26日 | |
| 特開 2026-134956 | 流れ制御リングを有する基板処理装置、および基板処理方法 | 2026年 8月21日 | |
| 特開 2026-131001 | オンウエハプロセス改善のためのRF電力の制御 | 2026年 8月13日 | |
| 特開 2026-129678 | 薄層用の堆積前駆体としてのホスフィンイミド錯体 | 2026年 8月12日 | |
| 特開 2026-129651 | 流量制御リングアセンブリおよびそれを使用する方法 | 2026年 8月12日 |
84 件中 1-15 件を表示
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2026-169784 2026-169179 2026-169178 2026-169165 2026-169164 2026-167600 2026-164956 2026-143361 2026-140690 2026-137087 2026-137086 2026-134956 2026-131001 2026-129678 2026-129651
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