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長江存儲科技有限責任公司

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  2023年 出願公開件数ランキング    第578位 52件 下降2022年:第201位 184件)

  2023年 特許取得件数ランキング    第276位 121件 上昇2022年:第623位 41件)

(ランキング更新日:2025年4月15日)筆頭出願人である出願のみカウントしています

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特許 7242908 バックサイドアイソレーション構造体を備えた3次元メモリデバイス 2023年 3月20日
特許 7241901 メモリデバイス及び方法 2023年 3月17日
特許 7239699 降伏電圧を高めた高電圧半導体装置およびその製造方法 2023年 3月14日
特許 7239719 フラッシュメモリデバイス 2023年 3月14日
特許 7238171 不良カラム修復を提供するメモリデバイスおよびその動作方法 2023年 3月13日
特許 7235864 保護層のin-situ形成を伴う新規のエッチング処理 2023年 3月 8日
特許 7235865 ビット線ドライバ装置 2023年 3月 8日
特許 7234369 三次元メモリ装置およびその製造方法 2023年 3月 7日
特許 7230204 3次元メモリデバイスおよびその製作方法 2023年 2月28日
特許 7224450 三次元メモリデバイスを形成するための方法 2023年 2月17日
特許 7217365 三次元メモリのためのコンタクト構造 2023年 2月 2日
特許 7214871 半導体デバイス、接合構造および半導体デバイスを形成するための方法 2023年 1月30日
特許 7214898 三次元メモリデバイスおよびその製作方法 2023年 1月30日
特許 7209857 スタックされた3次元異種メモリデバイス、および、それを形成するための方法 2023年 1月20日
特許 7208374 三次元(3D)メモリデバイスを形成するための方法、三次元(3D)メモリデバイス内にチャネル穴を形成するための方法 2023年 1月18日

121 件中 106-120 件を表示

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7242908 7241901 7239699 7239719 7238171 7235864 7235865 7234369 7230204 7224450 7217365 7214871 7214898 7209857 7208374

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