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■ 2023年 出願公開件数ランキング 第578位 52件
(2022年:第201位 184件)
■ 2023年 特許取得件数ランキング 第276位 121件
(2022年:第623位 41件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 7242908 | バックサイドアイソレーション構造体を備えた3次元メモリデバイス | 2023年 3月20日 | |
特許 7241901 | メモリデバイス及び方法 | 2023年 3月17日 | |
特許 7239699 | 降伏電圧を高めた高電圧半導体装置およびその製造方法 | 2023年 3月14日 | |
特許 7239719 | フラッシュメモリデバイス | 2023年 3月14日 | |
特許 7238171 | 不良カラム修復を提供するメモリデバイスおよびその動作方法 | 2023年 3月13日 | |
特許 7235864 | 保護層のin-situ形成を伴う新規のエッチング処理 | 2023年 3月 8日 | |
特許 7235865 | ビット線ドライバ装置 | 2023年 3月 8日 | |
特許 7234369 | 三次元メモリ装置およびその製造方法 | 2023年 3月 7日 | |
特許 7230204 | 3次元メモリデバイスおよびその製作方法 | 2023年 2月28日 | |
特許 7224450 | 三次元メモリデバイスを形成するための方法 | 2023年 2月17日 | |
特許 7217365 | 三次元メモリのためのコンタクト構造 | 2023年 2月 2日 | |
特許 7214871 | 半導体デバイス、接合構造および半導体デバイスを形成するための方法 | 2023年 1月30日 | |
特許 7214898 | 三次元メモリデバイスおよびその製作方法 | 2023年 1月30日 | |
特許 7209857 | スタックされた3次元異種メモリデバイス、および、それを形成するための方法 | 2023年 1月20日 | |
特許 7208374 | 三次元(3D)メモリデバイスを形成するための方法、三次元(3D)メモリデバイス内にチャネル穴を形成するための方法 | 2023年 1月18日 |
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7242908 7241901 7239699 7239719 7238171 7235864 7235865 7234369 7230204 7224450 7217365 7214871 7214898 7209857 7208374
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