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長江存儲科技有限責任公司

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  2023年 出願公開件数ランキング    第578位 52件 下降2022年:第201位 184件)

  2023年 特許取得件数ランキング    第276位 121件 上昇2022年:第623位 41件)

(ランキング更新日:2025年2月14日)筆頭出願人である出願のみカウントしています

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特表 2023-554144 メモリデバイス、メモリデバイスを動作させるための方法、メモリシステム 2023年12月26日
特表 2023-553679 三次元トランジスタを有するメモリ周辺回路及びその形成方法 2023年12月25日
特表 2023-553681 メモリシステムの電力管理 2023年12月25日
特開 2023-181313 3次元メモリデバイス内の階段構造およびそれを形成するための方法 2023年12月21日
特表 2023-552449 メモリデバイスのページバッファ内のデータ読取り用クロック信号返還スキーム 2023年12月15日
特開 2023-164841 3次元メモリデバイスのハイブリッドボンディングコンタクト構造 2023年11月14日
特開 2023-160856 3Dメモリデバイス、及びメモリシステム 2023年11月 2日
特開 2023-156435 半導体デバイスおよび方法 2023年10月24日
特開 2023-153181 複数の部分を含み、プログラム妨害を低減するために使用されるメモリ、およびそのプログラム方法 2023年10月17日
特開 2023-145697 階段貫通コンタクトを有する三次元メモリデバイス 2023年10月11日
特開 2023-143930 ドレイン選択ゲートカット構造を備えた三次元メモリデバイスおよびこれを形成するための方法 2023年10月 6日
特開 2023-143931 3次元メモリデバイス内の階段構造およびそれを形成するための方法 2023年10月 6日
特開 2023-139097 正確なデューティサイクル制御を実装するダブルデータレート回路およびデータ生成方法 2023年10月 3日
特開 2023-129428 3次元メモリデバイス 2023年 9月14日
特表 2023-536019 三次元メモリデバイス及びその形成方法 2023年 8月23日

52 件中 1-15 件を表示

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2023-554144 2023-553679 2023-553681 2023-181313 2023-552449 2023-164841 2023-160856 2023-156435 2023-153181 2023-145697 2023-143930 2023-143931 2023-139097 2023-129428 2023-536019

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