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■ 2023年 出願公開件数ランキング 第578位 52件
(2022年:第201位 184件)
■ 2023年 特許取得件数ランキング 第276位 121件
(2022年:第623位 41件)
(ランキング更新日:2025年5月7日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特表 2023-554144 | メモリデバイス、メモリデバイスを動作させるための方法、メモリシステム | 2023年12月26日 | |
特表 2023-553679 | 三次元トランジスタを有するメモリ周辺回路及びその形成方法 | 2023年12月25日 | |
特表 2023-553681 | メモリシステムの電力管理 | 2023年12月25日 | |
特開 2023-181313 | 3次元メモリデバイス内の階段構造およびそれを形成するための方法 | 2023年12月21日 | |
特表 2023-552449 | メモリデバイスのページバッファ内のデータ読取り用クロック信号返還スキーム | 2023年12月15日 | |
特開 2023-164841 | 3次元メモリデバイスのハイブリッドボンディングコンタクト構造 | 2023年11月14日 | |
特開 2023-160856 | 3Dメモリデバイス、及びメモリシステム | 2023年11月 2日 | |
特開 2023-156435 | 半導体デバイスおよび方法 | 2023年10月24日 | |
特開 2023-153181 | 複数の部分を含み、プログラム妨害を低減するために使用されるメモリ、およびそのプログラム方法 | 2023年10月17日 | |
特開 2023-145697 | 階段貫通コンタクトを有する三次元メモリデバイス | 2023年10月11日 | |
特開 2023-143930 | ドレイン選択ゲートカット構造を備えた三次元メモリデバイスおよびこれを形成するための方法 | 2023年10月 6日 | |
特開 2023-143931 | 3次元メモリデバイス内の階段構造およびそれを形成するための方法 | 2023年10月 6日 | |
特開 2023-139097 | 正確なデューティサイクル制御を実装するダブルデータレート回路およびデータ生成方法 | 2023年10月 3日 | |
特開 2023-129428 | 3次元メモリデバイス | 2023年 9月14日 | |
特表 2023-536019 | 三次元メモリデバイス及びその形成方法 | 2023年 8月23日 |
52 件中 1-15 件を表示
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2023-554144 2023-553679 2023-553681 2023-181313 2023-552449 2023-164841 2023-160856 2023-156435 2023-153181 2023-145697 2023-143930 2023-143931 2023-139097 2023-129428 2023-536019
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