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■ 2023年 出願公開件数ランキング 第578位 52件
(
2022年:第201位 184件)
■ 2023年 特許取得件数ランキング 第276位 121件
(
2022年:第623位 41件)
(ランキング更新日:2025年11月19日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 7348161 | NANDメモリデバイスおよびNANDメモリデバイスを形成するための方法 | 2023年 9月20日 | |
| 特許 7345567 | 3次元相変化メモリデバイス | 2023年 9月15日 | |
| 特許 7345568 | ソース構造を伴う三次元メモリデバイス、およびその三次元メモリデバイスを形成するための方法 | 2023年 9月15日 | |
| 特許 7341253 | 3次元NANDのためのキャパシタを形成するための構造および方法 | 2023年 9月 8日 | |
| 特許 7335309 | 3次元メモリデバイスのハイブリッドボンディングコンタクト構造 | 2023年 8月29日 | |
| 特許 7331119 | 複数の機能性チップを伴う三次元NANDメモリデバイスの集積 | 2023年 8月22日 | |
| 特許 7330301 | 接着層によって連結されるソースコンタクトを伴う三次元メモリデバイス、およびそれを形成するための方法 | 2023年 8月21日 | |
| 特許 7330357 | 水素ブロッキング層を有する3次元メモリデバイスおよびその製作方法 | 2023年 8月21日 | |
| 特許 7330360 | 磁気メモリ構造およびデバイス | 2023年 8月21日 | |
| 特許 7329601 | 半導体デバイス、接合構造および半導体デバイスを形成するための方法 | 2023年 8月18日 | |
| 特許 7329616 | 三次元メモリデバイスおよびその製造方法 | 2023年 8月18日 | |
| 特許 7328334 | 階段貫通コンタクトを有する三次元メモリデバイスおよびその形成方法 | 2023年 8月16日 | |
| 特許 7328344 | 三次元メモリデバイス | 2023年 8月16日 | |
| 特許 7328349 | バックサイドソースコンタクトを備える3次元メモリデバイス | 2023年 8月16日 | |
| 特許 7328369 | 拡大した接合部限界寸法を有する3次元メモリデバイスおよびそのデバイスを形成するための方法 | 2023年 8月16日 |
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7348161 7345567 7345568 7341253 7335309 7331119 7330301 7330357 7330360 7329601 7329616 7328334 7328344 7328349 7328369
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11月27日(木) - 東京 港区
11月27日(木) - 東京 千代田区
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11月28日(金) - 東京 千代田区
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【大阪会場】 前田知財塾 ~スキルアップ編~ 知財の仕事を、もっと深く、もっと面白く! 第1回 「発明発掘・権利化業務」
11月28日(金) - 東京 千代田区
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