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■ 2020年 特許取得件数ランキング 第991位 20件 (2019年:第1151位 16件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 6797951 | パワー半導体モジュール装置及びその製造方法 | 2020年12月 9日 | |
特許 6759275 | ボンドパッド間のゲートフィンガを含むワイドバンドギャップ半導体デバイス | 2020年 9月23日 | |
特許 6732715 | ストライプ状トレンチゲート構造とゲートコネクタ構造とを有する半導体装置 | 2020年 7月29日 | |
特許 6721401 | エピタキシャル成長による半導体デバイスの製作 | 2020年 7月15日 | |
特許 6720262 | ボディ領域とドリフト構造体との間にトレンチゲート構造体および垂直pn接合部を有する炭化ケイ素半導体デバイス | 2020年 7月 8日 | |
特許 6707498 | シールドゲートを有する炭化珪素装置を形成する方法 | 2020年 6月10日 | |
特許 6698746 | 半導体デバイス | 2020年 5月27日 | |
特許 6695380 | RFIC及びアンテナシステムを有するRFシステム | 2020年 5月20日 | |
特許 6691076 | パッシベーション層を有する半導体素子およびその生産方法 | 2020年 4月28日 | |
特許 6679637 | トランジスタデバイス | 2020年 4月15日 | |
特許 6676701 | SiC表面の平坦化方法 | 2020年 4月 8日 | |
特許 6671320 | CZシリコンウエハを製造する方法及び半導体装置を製造する方法 | 2020年 3月25日 | |
特許 6673856 | 炭化珪素装置および炭化珪素装置の形成方法 | 2020年 3月25日 | |
特許 6668393 | ヒートスラグとリベットのないダイ取付領域とを有する半導体パッケージ | 2020年 3月18日 | |
特許 6647897 | SiCベースの超接合半導体装置 | 2020年 2月14日 |
20 件中 1-15 件を表示
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6797951 6759275 6732715 6721401 6720262 6707498 6698746 6695380 6691076 6679637 6676701 6671320 6673856 6668393 6647897
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