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インフィネオン テクノロジーズ アーゲー

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  2020年 出願公開件数ランキング    第1652位 14件 下降2019年:第937位 31件)

  2020年 特許取得件数ランキング    第991位 20件 上昇2019年:第1151位 16件)

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特許 6797951 選択 パワー半導体モジュール装置及びその製造方法 2020年12月 9日
特許 6759275 選択 ボンドパッド間のゲートフィンガを含むワイドバンドギャップ半導体デバイス 2020年 9月23日
特許 6732715 選択 ストライプ状トレンチゲート構造とゲートコネクタ構造とを有する半導体装置 2020年 7月29日
特許 6721401 選択 エピタキシャル成長による半導体デバイスの製作 2020年 7月15日
特許 6720262 選択 ボディ領域とドリフト構造体との間にトレンチゲート構造体および垂直pn接合部を有する炭化ケイ素半導体デバイス 2020年 7月 8日
特許 6707498 選択 シールドゲートを有する炭化珪素装置を形成する方法 2020年 6月10日
特許 6698746 選択 半導体デバイス 2020年 5月27日
特許 6695380 選択 RFIC及びアンテナシステムを有するRFシステム 2020年 5月20日
特許 6691076 選択 パッシベーション層を有する半導体素子およびその生産方法 2020年 4月28日
特許 6679637 選択 トランジスタデバイス 2020年 4月15日
特許 6676701 選択 SiC表面の平坦化方法 2020年 4月 8日
特許 6671320 選択 CZシリコンウエハを製造する方法及び半導体装置を製造する方法 2020年 3月25日
特許 6673856 選択 炭化珪素装置および炭化珪素装置の形成方法 2020年 3月25日
特許 6668393 選択 ヒートスラグとリベットのないダイ取付領域とを有する半導体パッケージ 2020年 3月18日
特許 6647897 選択 SiCベースの超接合半導体装置 2020年 2月14日

20 件中 1-15 件を表示

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6797951 6759275 6732715 6721401 6720262 6707498 6698746 6695380 6691076 6679637 6676701 6671320 6673856 6668393 6647897

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