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■ 2019年 出願公開件数ランキング 第937位 31件
(2018年:第993位 27件)
■ 2019年 特許取得件数ランキング 第1151位 16件
(2018年:第1089位 18件)
(ランキング更新日:2025年3月27日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 6622337
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安全関連のアプリケーションにおけるマイクロコントローラシステム用の安全なリセット技術 | 2019年12月18日 | |
特許 6622343
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炭化ケイ素半導体デバイス及びその製造方法 | 2019年12月18日 | |
特許 6618960
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ドリフト空間にp層を有するnチャネルバイポーラパワー半導体素子 | 2019年12月11日 | |
特許 6619210
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半導体装置を形成する方法および半導体装置 | 2019年12月11日 | |
特許 6608400
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信号経路を監視する装置及び方法、並びに信号処理システム | 2019年11月20日 | |
特許 6599816
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リチウム電池、リチウム電池を製造するための方法、集積回路、および集積回路を製造するための方法 | 2019年10月30日 | |
特許 6599943
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アナログ/デジタル変換用のシステム及び方法 | 2019年10月30日 | |
特許 6599954
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半導体素子、シリコンウエハ、及びシリコンインゴット | 2019年10月30日 | |
特許 6580545
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半導体スイッチングデバイスおよびクランプダイオードを含む電気組立体 | 2019年 9月25日 | |
特許 6571155
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炭化ケイ素上への金属接触層の形成及び金属接触構造を有する半導体デバイス | 2019年 9月 4日 | |
特許 6563470
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磁気角度センサデバイスおよび動作方法 | 2019年 8月21日 | |
特許 6491267
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パワー半導体素子における超接合構造 | 2019年 3月27日 | |
特許 6487500
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有向イオンビームの使用による電極トレンチの形成とトレンチ電極構造を有する半導体素子 | 2019年 3月20日 | |
特許 6462799
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位相雑音試験能力を備えた集積RF回路 | 2019年 1月30日 | |
特許 6453415
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システムオンチップの完全性検証の方法及びシステム | 2019年 1月16日 |
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6622337 6622343 6618960 6619210 6608400 6599816 6599943 6599954 6580545 6571155 6563470 6491267 6487500 6462799 6453415
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