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インフィネオン テクノロジーズ アーゲー

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  2019年 出願公開件数ランキング    第937位 31件 上昇2018年:第993位 27件)

  2019年 特許取得件数ランキング    第1151位 16件 下降2018年:第1089位 18件)

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特許 6622337 選択 安全関連のアプリケーションにおけるマイクロコントローラシステム用の安全なリセット技術 2019年12月18日
特許 6622343 選択 炭化ケイ素半導体デバイス及びその製造方法 2019年12月18日
特許 6618960 選択 ドリフト空間にp層を有するnチャネルバイポーラパワー半導体素子 2019年12月11日
特許 6619210 選択 半導体装置を形成する方法および半導体装置 2019年12月11日
特許 6608400 選択 信号経路を監視する装置及び方法、並びに信号処理システム 2019年11月20日
特許 6599816 選択 リチウム電池、リチウム電池を製造するための方法、集積回路、および集積回路を製造するための方法 2019年10月30日
特許 6599943 選択 アナログ/デジタル変換用のシステム及び方法 2019年10月30日
特許 6599954 選択 半導体素子、シリコンウエハ、及びシリコンインゴット 2019年10月30日
特許 6580545 選択 半導体スイッチングデバイスおよびクランプダイオードを含む電気組立体 2019年 9月25日
特許 6571155 選択 炭化ケイ素上への金属接触層の形成及び金属接触構造を有する半導体デバイス 2019年 9月 4日
特許 6563470 選択 磁気角度センサデバイスおよび動作方法 2019年 8月21日
特許 6491267 選択 パワー半導体素子における超接合構造 2019年 3月27日
特許 6487500 選択 有向イオンビームの使用による電極トレンチの形成とトレンチ電極構造を有する半導体素子 2019年 3月20日
特許 6462799 選択 位相雑音試験能力を備えた集積RF回路 2019年 1月30日
特許 6453415 選択 システムオンチップの完全性検証の方法及びシステム 2019年 1月16日

16 件中 1-15 件を表示

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6622337 6622343 6618960 6619210 6608400 6599816 6599943 6599954 6580545 6571155 6563470 6491267 6487500 6462799 6453415

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