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■ 2018年 出願公開件数ランキング 第993位 27件
(2017年:第1110位 27件)
■ 2018年 特許取得件数ランキング 第1089位 18件
(2017年:第872位 25件)
(ランキング更新日:2025年3月25日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 6433539
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トレンチゲート構造を有するワイドバンドギャップ半導体素子 | 2018年12月 5日 | |
特許 6425753
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金属接着およびバリア構造体を備える半導体デバイスならびに半導体デバイスを形成する方法 | 2018年11月21日 | |
特許 6416297
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電力用半導体素子の負荷端子 | 2018年10月31日 | |
特許 6404306
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パワー半導体デバイス、半導体デバイス、および電荷キャリア数を調整するための方法 | 2018年10月10日 | |
特許 6392305
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半導体デバイスを形成する方法 | 2018年 9月19日 | |
特許 6382157
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回転センサ | 2018年 8月29日 | |
特許 6382370
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事前捕捉ランプを利用するレーダ | 2018年 8月29日 | |
特許 6373822
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シールドゲートを有する炭化珪素装置を形成する方法 | 2018年 8月15日 | |
特許 6356308
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メモリのアクセスに用いる方法及び装置 | 2018年 7月11日 | |
特許 6341943
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半導体基板配列、および半導体基板配列の形成方法 | 2018年 6月13日 | |
特許 6336430
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RFIC及びアンテナシステムを有するRFシステム | 2018年 6月 6日 | |
特許 6336547
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訂正信号を決定する回路構成及びその方法 | 2018年 6月 6日 | |
特許 6336554
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半導体本体上の接触層形成 | 2018年 6月 6日 | |
特許 6339137
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メモリデバイス、および記憶されているビットシーケンスを訂正するための方法 | 2018年 6月 6日 | |
特許 6321111
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非晶質化された部分を除去することによって炭化ケイ素半導体素子を製造する方法 | 2018年 5月 9日 |
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6433539 6425753 6416297 6404306 6392305 6382157 6382370 6373822 6356308 6341943 6336430 6336547 6336554 6339137 6321111
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3月25日(火) - 東京 品川区
3月25日(火) -
3月26日(水) - 東京 港区
3月26日(水) -
3月26日(水) -
3月26日(水) -
3月26日(水) -
3月25日(火) - 東京 品川区
4月1日(火) - 山口 山口市
4月1日(火) -
4月2日(水) -
4月2日(水) -
4月4日(金) -
4月1日(火) - 山口 山口市
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