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■ 2017年 出願公開件数ランキング 第5643位 3件
(2016年:第1978位 11件)
■ 2017年 特許取得件数ランキング 第2490位 6件
(2016年:第2650位 6件)
(ランキング更新日:2025年4月3日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 6193271 | 結晶半導体材料の薄層を設ける方法、ならびに関連する構造体およびデバイス | 2017年 9月 6日 | |
特許 6141853 | 3D集積化プロセスにおいて材料の層を転写する方法ならびに関連する構造体およびデバイス | 2017年 6月 7日 | |
特許 6139081 | シリコンオンインシュレーター構造体の製造方法 | 2017年 5月31日 | |
特許 6133888 | その場でのメトロロジ用に構成された反応チャンバを有する堆積システムおよび関連の方法 | 2017年 5月24日 | |
特許 6117169 | 三塩化ガリウムの噴射方式 | 2017年 4月19日 | |
特許 6074359 | III−V半導体構造およびIII−V半導体構造を形成する方法 | 2017年 2月 1日 |
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6193271 6141853 6139081 6133888 6117169 6074359
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4月4日(金) -
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