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■ 2015年 出願公開件数ランキング 第5202位 3件
(2014年: 0件)
■ 2015年 特許取得件数ランキング 第1611位 11件
(2014年: 0件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 5832531 | 注入および照射により基板を調製する方法 | 2015年12月16日 | |
特許 5771566 | 一時的接着を利用して半導体構造を製造するためのプロセス | 2015年 9月 2日 | |
特許 5745753 | 低減されたSECCO欠陥密度を有するセミコンダクタ・オン・インシュレータ基板を製造する方法。 | 2015年 7月 8日 | |
特許 5726796 | 絶縁体上の半導体タイプの基板のためのベース基板を製造する方法 | 2015年 6月 3日 | |
特許 5713921 | ひずみ材料層の緩和および転写 | 2015年 5月 7日 | |
特許 5687844 | ハイブリッド半導体基板の製造プロセス | 2015年 3月25日 | |
特許 5677988 | ガスインジェクタを備えたCVDシステム用のガスインジェクタ | 2015年 2月25日 | |
特許 5678008 | 単結晶の半導体層を支持基板上に転写する方法 | 2015年 2月25日 | |
特許 5678092 | 基板を再利用する方法 | 2015年 2月25日 | |
特許 5666842 | 半導体基板を作製する方法 | 2015年 2月12日 | |
特許 5656184 | 三塩化ガリウムの噴射方式 | 2015年 1月21日 |
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5832531 5771566 5745753 5726796 5713921 5687844 5677988 5678008 5678092 5666842 5656184
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