出願人名に「ソイテック」を含むもの
| 公報番号 | 発明の名称 | 出願人 | 公報発行日 |
|---|---|---|---|
| 特許 5099859 | 基板の再利用方法、積層化ウェーハの作製方法、及び適切な再利用を施したドナー基板 | ソイテック | 2012年12月19日 |
| 特許 5101263 | 半導体ヘテロ構造 | ソイテック | 2012年12月19日 |
| 特許 5101287 | 接合されるべき面の処理を伴う転写方法 | ソイテック | 2012年12月19日 |
| 特許 5103677 | ＣＶＤリアクタにおける気体状前駆体の熱化 | ソイテック | 2012年12月19日 |
| 特許 5095394 | ウエハの移動方法 | ソイテック， シリコン オン インシュレータ テクノロジーズ | 2012年12月12日 |
| 特許 5096634 | 低いホール密度を有する薄層を得るための方法 | ソイテック | 2012年12月12日 |
| 特許 5088729 | 半導体オンインシュレータ型ウエハを製造する方法 | ソイテック 他 | 2012年12月 5日 |
| 特許 5079706 | 分子接合による結合のためのプロセスおよび装置 | ソイテック | 2012年11月21日 |
| 特許 5068635 | 半導体ヘテロ構造を作製する方法 | ソイテック | 2012年11月 7日 |
| 特許 5053252 | 半導体材料の少なくとも１つの厚い層を含むヘテロ構造の製造方法 | ソイテック | 2012年10月17日 |
| 特許 5043230 | エッチング組成物、特に歪みを有する又は応力を受けたシリコン材料用のエッチング組成物、そのような基板上の欠陥の特性を決定する方法、及びそのような表面をエッチング組成物で処理するプロセス | ソイテック | 2012年10月10日 |
| 特許 5042837 | 気泡の形成を回避し、かつ、粗さを制限する条件により共注入工程を行う薄層転写方法 | ソイテック | 2012年10月 3日 |
| 特許 5032119 | 基板の準備及び組み立て方法 | ソイテック， シリコン オン インシュレータ テクノロジーズ | 2012年 9月26日 |
| 特許 5032168 | バルク基板中の結晶欠陥を顕在化する方法 | ソイテック | 2012年 9月26日 |
| 特許 5026685 | 歪シリコン層を有するウェーハ構造体の製造方法及びこの方法の中間生成物 | ソイテック | 2012年 9月12日 |
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5099859 5101263 5101287 5103677 5095394 5096634 5088729 5079706 5068635 5053252 5043230 5042837 5032119 5032168 5026685
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