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■ 2016年 出願公開件数ランキング 第1978位 11件
(2015年:第5202位 3件)
■ 2016年 特許取得件数ランキング 第2650位 6件
(2015年:第1611位 11件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 6043717 | 圧電材料の埋め込み方法 | 2016年12月14日 | |
特許 6023165 | 無線周波数応用分野向けの半導体オンインシュレータタイプの基板のための製造方法 | 2016年11月 9日 | |
特許 6016375 | III/V族半導体材料を形成する方法及びそのような方法を用いて形成された半導体構造体 | 2016年10月26日 | |
特許 5961633 | ピット欠陥が軽減されたIII−V族半導体構造体およびその形成方法 | 2016年 8月 2日 | |
特許 5952281 | 特定波長の光束を用いて基板を処理する方法および対応する基板 | 2016年 7月13日 | |
特許 5923553 | 三塩化ガリウムを製造するための大容量送達方法 | 2016年 5月24日 | |
特許 5895279 | HVPEプロセスを用いたIII族窒化物半導体材料のヘテロエピタキシャル堆積のための改善されたテンプレート層 | 2016年 3月30日 |
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6043717 6023165 6016375 5961633 5952281 5923553 5895279
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10月21日(火) - 大阪 大阪市
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