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マイクロン テクノロジー, インク.

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 ■ 2017年 出願公開件数ランキング    第588位 52件 (下降2016年:第216位 189件)

 ■ 2017年 特許取得件数ランキング    第306位 94件 (上昇2016年:第361位 82件)

(ランキング更新日:2026年10月9日)筆頭出願人である出願のみカウントしています

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特表 2017-517089 閾値電圧解析 2017年 6月22日
特表 2017-516132 フォトニック構造における波長ドリフトに対する補償を提供する方法および装置 2017年 6月15日
特開 2017-102943 トレーニング、データ再構築および/またはシャドウィングを含むメモリシステムおよび方法 2017年 6月 8日
特表 2017-515306 支持部材を有する積層半導体ダイアセンブリと、関連するシステムおよび方法 2017年 6月 8日
特表 2017-515239 ハイブリッドメモリキューブシステム相互接続ディレクトリベースキャッシュコヒーレンス方法 2017年 6月 8日
特表 2017-515238 再構成可能なメモリシステムのための仮想化された物理アドレス 2017年 6月 8日
特表 2017-514291 切り替えコンポーネントおよびメモリユニット 2017年 6月 1日
特表 2017-514263 ローカルメモリを備えたコントローラを有するメモリ 2017年 6月 1日
特表 2017-513232 メモリセル、半導体構造、半導体デバイスおよびその製造方法 2017年 5月25日
特表 2017-513089 コマンドキューイング 2017年 5月25日
特表 2017-511978 ソースのエッジに隣接するソースコンタクトを有するメモリアレイを含む装置 2017年 4月27日
特表 2017-510983 クロスポイントメモリおよびその製造方法 2017年 4月13日
特表 2017-510077 区分された論理素子を有する積層半導体ダイアセンブリおよび関連システムと方法 2017年 4月 6日
特表 2017-510076 改良された熱性能を有する積層半導体ダイアセンブリならびに関連するシステムおよび方法 2017年 4月 6日
特表 2017-508277 電界効果トランジスタ構造およびメモリアレイ 2017年 3月23日

52 件中 31-45 件を表示

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2017-517089 2017-516132 2017-102943 2017-515306 2017-515239 2017-515238 2017-514291 2017-514263 2017-513232 2017-513089 2017-511978 2017-510983 2017-510077 2017-510076 2017-508277

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