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マイクロン テクノロジー, インク.

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  2017年 出願公開件数ランキング    第664位 52件 下降2016年:第223位 189件)

  2017年 特許取得件数ランキング    第306位 94件 上昇2016年:第361位 82件)

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特許 6248198 垂直方向強誘電性電界効果トランジスタ構造、一対の垂直方向強誘電性電界効果トランジスタを含む構造、強誘電性電界効果トランジスタの垂直方向ストリング、および垂直方向強誘電性電界効果トランジスタの対が横方向に対向する垂直方向ストリング 2017年12月13日
特許 6244380 フォトニックデバイスの構造及び製造方法 2017年12月 6日
特許 6244455 半導体基板上に提供されるフォトニック結晶下部クラッド層を有するフォトニックデバイス 2017年12月 6日
特許 6244474 スルー基板ビアおよび前側構造を製造するためのデバイス、システムおよび方法 2017年12月 6日
特許 6225203 専用のセレクタトランジスタが不要な自己選択式PCMデバイス 2017年11月 1日
特許 6221012 製造過程の半導体ウェーハおよび製造過程関連のウェーハおよびシステムの周辺を保護する方法 2017年10月25日
特許 6221014 安全な共有鍵共有システム及び方法 2017年10月25日
特許 6216878 メモリ用の除算演算 2017年10月18日
特許 6211196 自律的メモリ検索のための方法及びシステム 2017年10月11日
特許 6212646 メモリセル、製造方法、及び、半導体デバイス 2017年10月11日
特許 6207605 状態機械エンジンをプログラミングするための方法およびデバイス 2017年10月 4日
特許 6207748 アドレスデコードおよびアクセス線選択のための装置、メモリおよび方法 2017年10月 4日
特許 6201051 半導体構造の製造方法 2017年 9月20日
特許 6201056 クロスポイントアレイ内のメモリセルへの並列アクセス 2017年 9月20日
特許 6201065 再構成可能なメモリシステムのための仮想化された物理アドレス 2017年 9月20日

94 件中 1-15 件を表示

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6248198 6244380 6244455 6244474 6225203 6221012 6221014 6216878 6211196 6212646 6207605 6207748 6201051 6201056 6201065

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