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マイクロン　テクノロジー，　インク．

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マイクロン　テクノロジー，　インク．の商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特表 2018-518037	磁気トンネル接合、磁気トンネル接合を形成する際に使われる方法、および磁気トンネル接合を形成する方法	2018年 7月 5日
特表 2018-517213	メモリにおけるストライプマッピング	2018年 6月28日
特表 2018-517272	磁気トンネル接合の磁気電極を形成する方法および磁気トンネル接合を形成する方法	2018年 6月28日
特表 2018-516450	磁気トンネル接合	2018年 6月21日
特表 2018-516461	修正された電流分布を持つ半導体デバイス	2018年 6月21日
特表 2018-515922	磁気トンネル接合	2018年 6月14日
特表 2018-515923	磁気トンネル接合	2018年 6月14日
特表 2018-514892	メモリアクセス動作中に、メモリの複数のメモリプレーンに同時にアクセスするための装置および方法	2018年 6月 7日
特表 2018-512728	積層メモリアレイを含む構造体	2018年 5月17日
特表 2018-510635	自己集合核酸を用いてナノ構造を形成する方法、及び自己集合核酸のナノ構造	2018年 4月19日
特開 2018-61010	階段ステップ構造を含む半導体デバイス構造を形成する方法および関連する半導体デバイス	2018年 4月12日
特表 2018-508990	電子デバイス、メモリセル、および電流を流す方法	2018年 3月29日
特開 2018-49915	半導体装置及びその製造方法	2018年 3月29日
特表 2018-507560	アンダーフィル収容キャビティを伴う半導体デバイス・アセンブリ	2018年 3月15日
特表 2018-506181	炭素を含む金属線を組み込む構造および炭素を含む金属線を形成する方法	2018年 3月 1日

34 件中 16-30 件を表示

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2018-518037 2018-517213 2018-517272 2018-516450 2018-516461 2018-515922 2018-515923 2018-514892 2018-512728 2018-510635 2018-61010 2018-508990 2018-49915 2018-507560 2018-506181

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