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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 6445586 | 区分された論理素子を有する積層半導体ダイアセンブリおよび関連システムと方法 | 2018年12月26日 | |
特許 6445587 | クロスポイント型アレイの双方向アクセスのための装置および方法 | 2018年12月26日 | |
特許 6438902 | 温度管理強化型半導体ダイアセンブリ、それを含む半導体デバイスおよび関連方法 | 2018年12月19日 | |
特許 6438973 | フォトニック構造における波長ドリフトに対する補償を提供する方法および装置 | 2018年12月19日 | |
特許 6441495 | 磁気トンネル接合の磁気電極を形成する方法および磁気トンネル接合を形成する方法 | 2018年12月19日 | |
特許 6441537 | 強誘電体メモリセルを動作させる方法および関連する強誘電体メモリセル | 2018年12月19日 | |
特許 6442070 | 消去デバイアスを用いてメモリを動作させる装置、及び方法 | 2018年12月19日 | |
特許 6437437 | コントロールゲートに挿通する接続部を有するメモリアレイ | 2018年12月12日 | |
特許 6437575 | VLSIでの効率的なハフマン符号化を行う装置および方法 | 2018年12月12日 | |
特許 6434424 | 3Dメモリ | 2018年12月 5日 | |
特許 6434535 | 複数のメモリ動作を実施するための装置および方法 | 2018年12月 5日 | |
特許 6427181 | メモリセル、動作方法および製造方法、半導体デバイス構造およびメモリシステム | 2018年11月21日 | |
特許 6422508 | 支持部材を有する積層半導体ダイアセンブリと、関連するシステムおよび方法 | 2018年11月14日 | |
特許 6422510 | 閾値電圧解析 | 2018年11月14日 | |
特許 6422599 | 修正された電流分布を持つ半導体デバイス | 2018年11月14日 |
51 件中 1-15 件を表示
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6445586 6445587 6438902 6438973 6441495 6441537 6442070 6437437 6437575 6434424 6434535 6427181 6422508 6422510 6422599
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