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■ 2019年 出願公開件数ランキング 第546位 62件 (2018年:第820位 34件)
■ 2019年 特許取得件数ランキング 第668位 33件 (2018年:第494位 51件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特表 2019-518301 | メモリセルプレート間の電荷共有 | 2019年 6月27日 | |
特表 2019-517735 | モールド経由の冷却チャネルを有する半導体デバイスアセンブリ | 2019年 6月24日 | |
特表 2019-517129 | 3次元メモリアレイのための熱絶縁 | 2019年 6月20日 | |
特表 2019-517153 | 強誘電体デバイス及びその形成方法 | 2019年 6月20日 | |
特開 2019-91928 | 磁気トンネル接合 | 2019年 6月13日 | |
特表 2019-515408 | 強誘電体メモリ・セル検知 | 2019年 6月 6日 | |
特表 2019-515409 | データキャッシング | 2019年 6月 6日 | |
特表 2019-513278 | メモリセル用のグラウンド・リファレンス・スキーム | 2019年 5月23日 | |
特表 2019-513279 | FERAM−DRAMハイブリッドメモリ | 2019年 5月23日 | |
特表 2019-512833 | セクションの独立による複数のメモリセクション内での並列アクセス技術 | 2019年 5月16日 | |
特開 2019-71158 | 区分された論理素子を有する積層半導体ダイアセンブリおよび関連システムと方法 | 2019年 5月 9日 | |
特開 2019-71159 | クロスポイント型アレイの双方向アクセスのための装置および方法 | 2019年 5月 9日 | |
特開 2019-71419 | 強誘電体メモリセルを動作させる方法および関連する強誘電体メモリセル | 2019年 5月 9日 | |
特表 2019-511804 | 強誘電体メモリセルのセンシングのためのオフセット補償 | 2019年 4月25日 | |
特表 2019-511805 | 蓄積コンポーネントの分離を備えたメモリセルセンシング | 2019年 4月25日 |
62 件中 31-45 件を表示
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2019-518301 2019-517735 2019-517129 2019-517153 2019-91928 2019-515408 2019-515409 2019-513278 2019-513279 2019-512833 2019-71158 2019-71159 2019-71419 2019-511804 2019-511805
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11月22日(金) -
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11月22日(金) - 東京 港区
11月22日(金) -
11月22日(金) - 大阪 大阪市
11月22日(金) -
11月22日(金) -
11月25日(月) -
11月25日(月) - 岐阜 各務原市
11月26日(火) -
11月26日(火) - 東京 港区
11月26日(火) -
11月26日(火) -
11月26日(火) -
11月27日(水) - 東京 港区
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月28日(木) - 東京 港区
11月28日(木) - 島根 松江市
11月28日(木) - 京都 京都市
11月28日(木) -
11月28日(木) - 大阪 大阪市
11月28日(木) -
11月29日(金) - 東京 港区
11月29日(金) - 茨城 ひたちなか市
11月30日(土) -
12月1日(日) -
12月1日(日) -
11月25日(月) -
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