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マイクロン テクノロジー, インク.

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  2019年 出願公開件数ランキング    第546位 62件 上昇2018年:第820位 34件)

  2019年 特許取得件数ランキング    第668位 33件 下降2018年:第494位 51件)

(ランキング更新日:2025年2月17日)筆頭出願人である出願のみカウントしています

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特表 2019-526845 誤り訂正符号イベント検出 2019年 9月19日
特表 2019-526126 可変のページサイズアーキテクチャ 2019年 9月12日
特表 2019-525374 アレイのデータビットの反転 2019年 9月 5日
特表 2019-525375 メモリセルのインプリント回避 2019年 9月 5日
特表 2019-525377 メモリアレイのフルバイアスセンシング 2019年 9月 5日
特表 2019-523516 クロスポイント不揮発性メモリに対する書き込み 2019年 8月22日
特表 2019-522863 強誘電体メモリの中のマルチレベルストレージ 2019年 8月15日
特表 2019-522307 複数の選択ゲートと異なるバイアス条件を有するメモリ素子 2019年 8月 8日
特表 2019-521464 メモリセルのセンシング動作のための電力低減 2019年 7月25日
特表 2019-521465 強誘電体メモリセルの回復 2019年 7月25日
特表 2019-520629 複数のパーティションを有するメモリデバイスにおけるメモリアクセス技法 2019年 7月18日
特表 2019-520666 強誘電体メモリのための電荷ミラーベースのセンシング 2019年 7月18日
特表 2019-520699 磁気トンネル接合 2019年 7月18日
特表 2019-519103 1つ以上の窓を含むパッケージオンパッケージ半導体デバイスアセンブリ並びに関連する方法及びパッケージ 2019年 7月 4日
特表 2019-518300 強誘電体メモリセルからの電荷抽出 2019年 6月27日

62 件中 16-30 件を表示

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2019-526845 2019-526126 2019-525374 2019-525375 2019-525377 2019-523516 2019-522863 2019-522307 2019-521464 2019-521465 2019-520629 2019-520666 2019-520699 2019-519103 2019-518300

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