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■ 2019年 特許取得件数ランキング 第668位 33件 (2018年:第494位 51件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 6625599 | 高効率熱経路を有する積層半導体ダイアセンブリおよび関連システム | 2019年12月25日 | |
特許 6626083 | 高効率熱経路を有する積層半導体ダイアセンブリおよび関連システム | 2019年12月25日 | |
特許 6622317 | 磁気トンネル接合、磁気トンネル接合を形成する際に使われる方法、および磁気トンネル接合を形成する方法 | 2019年12月18日 | |
特許 6616877 | VLSIでの効率的なハフマン符号化を行う装置および方法 | 2019年12月 4日 | |
特許 6606177 | 金属カルコゲナイドを含むデバイス | 2019年11月13日 | |
特許 6599478 | 磁気トンネル接合 | 2019年10月30日 | |
特許 6599880 | ソースのエッジに隣接するソースコンタクトを有するメモリアレイを含む装置 | 2019年10月30日 | |
特許 6590351 | 磁気トンネル接合 | 2019年10月16日 | |
特許 6590379 | 一部書き込み済みブロックの取り扱い | 2019年10月16日 | |
特許 6585845 | メモリおよびその動作を含む装置および方法 | 2019年10月 2日 | |
特許 6577954 | 切り替えコンポーネントおよびメモリユニット | 2019年 9月18日 | |
特許 6574833 | マルチレベルパス信号でのメモリのプログラミング | 2019年 9月11日 | |
特許 6572341 | メモリへの電力利用可能性情報の供給 | 2019年 9月 4日 | |
特許 6568155 | 3次元メモリアレイアーキテクチャ | 2019年 8月28日 | |
特許 6568227 | メモリ装置におけるプログラム禁止 | 2019年 8月28日 |
33 件中 1-15 件を表示
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6625599 6626083 6622317 6616877 6606177 6599478 6599880 6590351 6590379 6585845 6577954 6574833 6572341 6568155 6568227
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