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マイクロン テクノロジー, インク.

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  2020年 出願公開件数ランキング    第462位 72件 上昇2019年:第546位 62件)

  2020年 特許取得件数ランキング    第565位 40件 上昇2019年:第668位 33件)

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特表 2020-527820 周辺充填および局在化容量 2020年 9月10日
特開 2020-144946 メモリの異なるメモリプレーンに同時にアクセスするための装置および方法 2020年 9月10日
特開 2020-145434 クロスポイントメモリおよびその製造方法 2020年 9月10日
特表 2020-526862 強誘電体メモリセル及び誘電体メモリセルを含むメモリのための装置及び方法 2020年 8月31日
特表 2020-526924 NANDメモリ・アレイ、半導体チャネル材料及び窒素を含むデバイス、並びにNANDメモリ・アレイを形成する方法 2020年 8月31日
特表 2020-526015 抵抗を有するメモリセル及び抵抗を有するメモリセルの形成 2020年 8月27日
特表 2020-524849 不揮発性のメモリシステム又はサブシステム 2020年 8月20日
特表 2020-523724 メモリセルの時間ベースのアクセス 2020年 8月 6日
特表 2020-523725 メモリ・セルの時間ベースのアクセス 2020年 8月 6日
特表 2020-523726 デュアル・モード強誘電体メモリ・セル動作 2020年 8月 6日
特開 2020-113359 クロスポイント不揮発性メモリに対する書き込み 2020年 7月27日
特表 2020-521266 メモリアレイのためのプレートノードの構成及び動作 2020年 7月16日
特開 2020-107360 複数のパーティションを有するメモリデバイスにおけるメモリアクセス技法 2020年 7月 9日
特表 2020-519010 自己選択メモリにおけるプログラミング改良 2020年 6月25日
特開 2020-98664 強誘電体メモリの中のマルチレベルストレージ 2020年 6月25日

72 件中 31-45 件を表示

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2020-527820 2020-144946 2020-145434 2020-526862 2020-526924 2020-526015 2020-524849 2020-523724 2020-523725 2020-523726 2020-113359 2020-521266 2020-107360 2020-519010 2020-98664

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