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■ 2020年 出願公開件数ランキング 第445位 72件
(
2019年:第511位 62件)
■ 2020年 特許取得件数ランキング 第565位 40件
(
2019年:第668位 33件)
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| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 6802947 | 温度ベースのメモリ動作 | 2020年12月23日 | |
| 特許 6802933 | 自動動的ワード線開始電圧のための装置及び方法 | 2020年12月23日 | |
| 特許 6802401 | アレイのデータビットの反転 | 2020年12月16日 | |
| 特許 6802350 | 複数の選択ゲートと異なるバイアス条件を有するメモリ素子 | 2020年12月16日 | |
| 特許 6795496 | クロスポイントメモリと、その製造方法 | 2020年12月 2日 | |
| 特許 6791522 | インデータパス計算動作のための装置及び方法 | 2020年11月25日 | |
| 特許 6785315 | 3次元メモリアレイのための熱絶縁 | 2020年11月18日 | |
| 特許 6783306 | 3次元メモリ装置および使用方法 | 2020年11月11日 | |
| 特許 6783290 | 有極性、カイラル、非中心対称性強誘電体材料、その材料を含むメモリセルおよび関連するデバイスと方法 | 2020年11月11日 | |
| 特許 6780026 | 強誘電体デバイス及びその形成方法 | 2020年11月 4日 | |
| 特許 6779940 | 仮想接地検知回路及び関連するデバイス、システム、及び、方法 | 2020年11月 4日 | |
| 特許 6777370 | 周辺充填および局在化容量 | 2020年10月28日 | |
| 特許 6777368 | マルチレベルメモリセルを含む装置およびその動作方法 | 2020年10月28日 | |
| 特許 6777369 | 強誘電体メモリを含み、強誘電体メモリを動作するための装置及び方法 | 2020年10月28日 | |
| 特許 6770648 | 下にあるインターポーザを通じて拡張するヒートスプレッダを有する半導体ダイアセンブリ及び関連技術 | 2020年10月14日 |
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6802947 6802933 6802401 6802350 6795496 6791522 6785315 6783306 6783290 6780026 6779940 6777370 6777368 6777369 6770648
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AI Native知財 - 私たちはどう生きるか? - 楠浦崇央 氏(TechnoProducer株式会社 代表取締役/発明塾 塾長) x 弁理士木本大介(リーガルテック株式会社アドバイザー)
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企業の知財部員がすべき「知財実務手順の対応」 ~特許出願から明細書作成のノウハウ及び先行技術調査の基礎、特許権侵害の実務対応~
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