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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 6802933 | 自動動的ワード線開始電圧のための装置及び方法 | 2020年12月23日 | |
特許 6802947 | 温度ベースのメモリ動作 | 2020年12月23日 | |
特許 6802350 | 複数の選択ゲートと異なるバイアス条件を有するメモリ素子 | 2020年12月16日 | |
特許 6802401 | アレイのデータビットの反転 | 2020年12月16日 | |
特許 6795496 | クロスポイントメモリと、その製造方法 | 2020年12月 2日 | |
特許 6791522 | インデータパス計算動作のための装置及び方法 | 2020年11月25日 | |
特許 6785315 | 3次元メモリアレイのための熱絶縁 | 2020年11月18日 | |
特許 6783290 | 有極性、カイラル、非中心対称性強誘電体材料、その材料を含むメモリセルおよび関連するデバイスと方法 | 2020年11月11日 | |
特許 6783306 | 3次元メモリ装置および使用方法 | 2020年11月11日 | |
特許 6779940 | 仮想接地検知回路及び関連するデバイス、システム、及び、方法 | 2020年11月 4日 | |
特許 6780026 | 強誘電体デバイス及びその形成方法 | 2020年11月 4日 | |
特許 6777368 | マルチレベルメモリセルを含む装置およびその動作方法 | 2020年10月28日 | |
特許 6777369 | 強誘電体メモリを含み、強誘電体メモリを動作するための装置及び方法 | 2020年10月28日 | |
特許 6777370 | 周辺充填および局在化容量 | 2020年10月28日 | |
特許 6770506 | 適応率圧縮ハッシュ処理デバイス | 2020年10月14日 |
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6802933 6802947 6802350 6802401 6795496 6791522 6785315 6783290 6783306 6779940 6780026 6777368 6777369 6777370 6770506
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11月28日(木) -
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12月1日(日) -
12月1日(日) -
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