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グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社
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■ 2014年 出願公開件数ランキング 第4165位 4件
（
2013年：第1715位 15件）
■ 2014年 特許取得件数ランキング 第959位 30件
（
2013年：第2956位 6件）
（ランキング更新日：2025年4月4日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5646589 | シリコン単結晶の引き上げ方法 | 2014年12月24日 | |
| 特許 5641533 | シリコンウェーハの熱処理方法 | 2014年12月17日 | |
| 特許 5641537 | シリコンウェーハの熱処理方法 | 2014年12月17日 | |
| 特許 5641538 | シリコンウェーハの熱処理方法 | 2014年12月17日 | |
| 特許 5605913 | 単結晶引上方法 | 2014年10月15日 | |
| 特許 5597378 | シリコンウェーハの熱処理方法 | 2014年10月 1日 | |
| 特許 5595318 | 単結晶引上装置及び単結晶引き上げ方法 | 2014年 9月24日 | |
| 特許 5590644 | シリコンウェーハの熱処理方法 | 2014年 9月17日 | |
| 特許 5583053 | シリコンウェーハの熱処理方法 | 2014年 9月 3日 | |
| 特許 5583070 | シリコンウェーハの熱処理方法 | 2014年 9月 3日 | |
| 特許 5570065 | 半導体ウエハの研磨方法及び半導体ウエハ研磨装置 | 2014年 8月13日 | |
| 特許 5567259 | シリコンウェーハおよびその製造方法 | 2014年 8月 6日 | 共同出願 |
| 特許 5561918 | シリコンウェーハの製造方法 | 2014年 7月30日 | |
| 特許 5561785 | シリコン単結晶引上装置及びそれを用いたシリコン単結晶の引上げ方法 | 2014年 7月30日 | |
| 特許 5562776 | 単結晶引上装置及び単結晶引き上げ方法 | 2014年 7月30日 |
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5646589 5641533 5641537 5641538 5605913 5597378 5595318 5590644 5583053 5583070 5570065 5567259 5561918 5561785 5562776
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