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■ 2012年 出願公開件数ランキング 第1466位 17件 (2011年:第1648位 14件)
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第1326位 20件 (2011年:第710位 41件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特開 2012-229583 | さく孔機の遮音装置 | 2012年11月22日 | 共同出願 |
特開 2012-211037 | 種結晶、窒化ガリウム系半導体の製造方法、及び、基板の製造方法 | 2012年11月 1日 | |
特開 2012-211038 | 窒化ガリウム系半導体単結晶の製造方法、基板の製造方法、及び、種結晶の製造方法 | 2012年11月 1日 | |
特開 2012-180399 | シンチレータ用ガーネット型結晶、及び、これを用いる放射線検出器 | 2012年 9月20日 | 共同出願 |
特開 2012-168834 | ゾーンライティングユニットおよびゾーンライティングシステム | 2012年 9月 6日 | |
特開 2012-158485 | シンチレータ用ガーネット型結晶およびこれを用いる放射線検出器 | 2012年 8月23日 | 共同出願 |
特開 2012-155648 | 誘導パネルおよび誘導システム | 2012年 8月16日 | |
特開 2012-119457 | 熱電変換モジュール | 2012年 6月21日 | |
特開 2012-78278 | 位置検出システム、そのデータ処理装置、そのデータ処理方法およびコンピュータプログラム | 2012年 4月19日 | |
特開 2012-69968 | n−型スクッテルダイト系Yb−Co−Sb熱電変換材料の製造方法 | 2012年 4月 5日 | |
特開 2012-66994 | シンチレータ用ガーネット型単結晶およびこれを用いる放射線検出器 | 2012年 4月 5日 | 共同出願 |
特開 2012-56800 | III族窒化物半導体基板およびIII族窒化物半導体基板の製造方法 | 2012年 3月22日 | |
特開 2012-56799 | III族窒化物半導体基板およびIII族窒化物半導体基板の製造方法 | 2012年 3月22日 | |
特開 2012-56797 | III族窒化物半導体基板の製造方法 | 2012年 3月22日 | |
特開 2012-46642 | シンチレータ用ガーネット型結晶およびこれを用いる放射線検出器 | 2012年 3月 8日 | 共同出願 |
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2012-229583 2012-211037 2012-211038 2012-180399 2012-168834 2012-158485 2012-155648 2012-119457 2012-78278 2012-69968 2012-66994 2012-56800 2012-56799 2012-56797 2012-46642
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2月4日(火) - 東京 港区
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2月4日(火) -
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2月7日(金) -
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