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古河機械金属株式会社

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  2015年 出願公開件数ランキング    第771位 39件 上昇2014年:第870位 33件)

  2015年 特許取得件数ランキング    第2434位 6件 下降2014年:第1774位 13件)

(ランキング更新日:2025年2月17日)筆頭出願人である出願のみカウントしています

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特開 2015-227807 打音検査用打撃装置 2015年12月17日
特開 2015-227808 打撃判定装置、打撃判定方法、及び、プログラム 2015年12月17日
特開 2015-221731 自立基板の製造方法 2015年12月10日
特開 2015-214441 自立基板の製造方法および自立基板 2015年12月 3日
特開 2015-214447 自立基板の製造方法及び自立基板 2015年12月 3日
特開 2015-207618 窒化物半導体基板、窒化物半導体デバイス、窒化物半導体基板の製造方法、及び、窒化物半導体デバイスの製造方法 2015年11月19日
特開 2015-199616 自立基板の製造方法 2015年11月12日
特開 2015-199631 接合基板、接合基板の製造方法、及び、III族窒化物半導体の製造方法 2015年11月12日
特開 2015-179304 作業工程管理方法および工具位置測位システム 2015年10月 8日
特開 2015-168971 海底鉱物の揚鉱方法および海底鉱物の揚鉱システム 2015年 9月28日
特開 2015-166293 III族窒化物結晶の製造方法、III族窒化物結晶、半導体装置およびIII族窒化物結晶製造装置 2015年 9月24日
特開 2015-161665 放射線検出用素子および放射線検出装置 2015年 9月 7日
特開 2015-151330 III族窒化物半導体層およびIII族窒化物半導体基板の製造方法 2015年 8月24日
特開 2015-151331 III族窒化物半導体基板の評価方法 2015年 8月24日
特開 2015-151626 III族窒化物半導体層の製造方法 2015年 8月24日

40 件中 1-15 件を表示

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2015-227807 2015-227808 2015-221731 2015-214441 2015-214447 2015-207618 2015-199616 2015-199631 2015-179304 2015-168971 2015-166293 2015-161665 2015-151330 2015-151331 2015-151626

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