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古河機械金属株式会社

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　■　2021年特許取得件数ランキング　　　第664位　33件（2020年：第875位　23件）

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古河機械金属株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特開 2021-188475	穿孔支援装置	2021年12月13日
再表 2020-162346	ＩＩＩ族窒化物半導体基板、及び、ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法	2021年12月 9日
特開 2021-184393	固体電解質シートおよび全固体型リチウムイオン電池	2021年12月 2日
特開 2021-172527	硫化物系無機固体電解質材料の製造方法	2021年11月 1日
特開 2021-170468	硫化リン組成物の製造方法および硫化物系無機固体電解質材料の製造方法	2021年10月28日
特開 2021-170469	硫化リン組成物の製造方法および硫化物系無機固体電解質材料の製造方法	2021年10月28日
特開 2021-167271	無機材料の製造方法	2021年10月21日
特開 2021-155269	構造体及び構造体の製造方法	2021年10月 7日
特開 2021-134613	海底鉱床採鉱装置および海底鉱床の採鉱方法	2021年 9月13日
再表 2020-45005	半極性自立基板の製造方法	2021年 8月26日
特開 2021-108296	Ｌｉ−Ｐ−Ｏ−Ｎ系無機固体電解質材料、Ｌｉ−Ｐ−Ｏ−Ｎ系無機固体電解質材料の使用方法、固体電解質、固体電解質膜、リチウムイオン電池およびＬｉ−Ｐ−Ｏ−Ｎ系無機固体電解質材料の製造方法	2021年 7月29日
特開 2021-84815	ＩＩＩ族窒化物半導体基板及びＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法	2021年 6月 3日
特開 2021-84816	ＩＩＩ族窒化物半導体基板及びＩＩＩ族窒化物半導体層	2021年 6月 3日
特開 2021-84817	ＩＩＩ族窒化物半導体基板及びＩＩＩ族窒化物半導体層	2021年 6月 3日
特開 2021-84818	ＩＩＩ族窒化物半導体基板及びＩＩＩ族窒化物半導体層	2021年 6月 3日

25 件中 1-15 件を表示

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2021-188475 2020-162346 2021-184393 2021-172527 2021-170468 2021-170469 2021-167271 2021-155269 2021-134613 2020-45005 2021-108296 2021-84815 2021-84816 2021-84817 2021-84818

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