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古河機械金属株式会社

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  2021年 出願公開件数ランキング    第1060位 25件 下降2020年:第976位 27件)

  2021年 特許取得件数ランキング    第664位 33件 上昇2020年:第875位 23件)

(ランキング更新日:2024年11月11日)筆頭出願人である出願のみカウントしています

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特開 2021-188475 穿孔支援装置 2021年12月13日
再表 2020-162346 III族窒化物半導体基板、及び、III族窒化物半導体基板の製造方法 2021年12月 9日
特開 2021-184393 固体電解質シートおよび全固体型リチウムイオン電池 2021年12月 2日
特開 2021-172527 硫化物系無機固体電解質材料の製造方法 2021年11月 1日
特開 2021-170468 硫化リン組成物の製造方法および硫化物系無機固体電解質材料の製造方法 2021年10月28日
特開 2021-170469 硫化リン組成物の製造方法および硫化物系無機固体電解質材料の製造方法 2021年10月28日
特開 2021-167271 無機材料の製造方法 2021年10月21日
特開 2021-155269 構造体及び構造体の製造方法 2021年10月 7日
特開 2021-134613 海底鉱床採鉱装置および海底鉱床の採鉱方法 2021年 9月13日
再表 2020-45005 半極性自立基板の製造方法 2021年 8月26日
特開 2021-108296 Li−P−O−N系無機固体電解質材料、Li−P−O−N系無機固体電解質材料の使用方法、固体電解質、固体電解質膜、リチウムイオン電池およびLi−P−O−N系無機固体電解質材料の製造方法 2021年 7月29日
特開 2021-84815 III族窒化物半導体基板及びIII族窒化物半導体基板の製造方法 2021年 6月 3日
特開 2021-84816 III族窒化物半導体基板及びIII族窒化物半導体層 2021年 6月 3日
特開 2021-84817 III族窒化物半導体基板及びIII族窒化物半導体層 2021年 6月 3日
特開 2021-84818 III族窒化物半導体基板及びIII族窒化物半導体層 2021年 6月 3日

25 件中 1-15 件を表示

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2021-188475 2020-162346 2021-184393 2021-172527 2021-170468 2021-170469 2021-167271 2021-155269 2021-134613 2020-45005 2021-108296 2021-84815 2021-84816 2021-84817 2021-84818

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