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 ■ 2018年 出願公開件数ランキング    第75位 527件
					( 2017年:第79位 613件)
2017年:第79位 613件)
		
 ■ 2018年 特許取得件数ランキング    第109位 277件
					( 2017年:第91位 331件)
2017年:第91位 331件)
		
(ランキング更新日:2025年10月31日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 | 
|---|---|---|---|
| 特許 6362555 | 窒化アルミニウム結晶の製造方法 | 2018年 7月25日 | |
| 特許 6357978 | 遷移金属複合水酸化物粒子とその製造方法、非水系電解質二次電池用正極活物質および非水系電解質二次電池 | 2018年 7月18日 | |
| 特許 6358077 | ニッケルコバルト複合水酸化物粒子とその製造方法、非水電解質二次電池用正極活物質とその製造方法、および、非水電解質二次電池 | 2018年 7月18日 | |
| 特許 6358083 | 酸化物焼結体、スパッタリング用ターゲット、及びそれを用いて得られる酸化物半導体薄膜 | 2018年 7月18日 | |
| 特許 6358150 | インジウムメタルの製造方法 | 2018年 7月18日 | |
| 特許 6358161 | インジウムメタルの製造方法 | 2018年 7月18日 | |
| 特許 6358232 | 活性炭充填塔のメンテナンス方法 | 2018年 7月18日 | |
| 特許 6358299 | 高純度酸化スカンジウムの製造方法 | 2018年 7月18日 | |
| 特許 6358329 | 酸化物焼結体、スパッタリング用ターゲット、及びそれを用いて得られる酸化物半導体薄膜 | 2018年 7月18日 | |
| 特許 6358570 | 浸出残渣スラリーの排出施設 | 2018年 7月18日 | |
| 特許 6354205 | 硫化スズ焼結体およびその製造方法 | 2018年 7月11日 | |
| 特許 6354841 | 酸化物焼結体、スパッタリング用ターゲット、及びそれを用いて得られる酸化物半導体薄膜 | 2018年 7月11日 | |
| 特許 6354871 | 金属化ポリイミドフィルム基板の製造方法 | 2018年 7月11日 | |
| 特許 6349641 | 転写銅箔付きフィルム、銅箔貼り合わせ積層板の製造方法、転写銅箔付きフィルム中間体 | 2018年 7月 4日 | |
| 特許 6349957 | リチウム遷移金属複合酸化物製造用匣鉢充填物およびリチウム遷移金属複合酸化物の製造方法 | 2018年 7月 4日 | 
284 件中 151-165 件を表示
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6362555 6357978 6358077 6358083 6358150 6358161 6358232 6358299 6358329 6358570 6354205 6354841 6354871 6349641 6349957
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10月31日(金) -
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11月4日(火) -
11月4日(火) - 大阪 大阪市
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11月5日(水) -
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11月6日(木) - 東京 港区
11月6日(木) - 大阪 大阪市
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11月7日(金) -
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