特許ランキング - 出願人詳細情報 -

信越化学工業株式会社

※ ログインすれば出願人(信越化学工業株式会社)をリストに登録できます。ログインについて

　■　2011年出願公開件数ランキング　　　第107位　416件（2010年：第112位　429件）

　■　2011年特許取得件数ランキング　　　第67位　474件（2010年：第72位　394件）

（ランキング更新日：2024年11月22日）筆頭出願人である出願のみカウントしています

2012年 2013年 2014年 2015年 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年

信越化学工業株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称	公報発行日
特開 2011-162768	高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法	2011年 8月25日
特開 2011-164402	ペリクルの製造方法	2011年 8月25日
特開 2011-164259	リソグラフィー用ペリクル	2011年 8月25日
特開 2011-164255	リソグラフィー用ペリクル	2011年 8月25日
特開 2011-166021	太陽電池の製造方法及び太陽電池	2011年 8月25日
特開 2011-165886	レジスト塗布装置及びレジスト塗布方法	2011年 8月25日
特開 2011-156655	磁石固定治具、希土類磁石切断加工装置及び切断加工方法	2011年 8月18日
特開 2011-156863	磁石固定治具及び希土類磁石切断加工装置	2011年 8月18日
特開 2011-158585	ペリクルおよびペリクルの製造方法	2011年 8月18日
特開 2011-157313	新規スルホニウム塩、高分子化合物、高分子化合物の製造方法、レジスト材料及びパターン形成方法	2011年 8月18日
特開 2011-158891	ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法	2011年 8月18日
特開 2011-158814	ペリクル膜の製造方法および装置	2011年 8月18日
特開 2011-154059	ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法	2011年 8月11日
特開 2011-150023	レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜形成方法、及びパターン形成方法	2011年 8月 4日
特開 2011-151125	ダイシング・ダイアタッチフィルム、半導体装置、及びダイシング・ダイアタッチ方法	2011年 8月 4日

416 件中 151-165 件を表示

... 11

※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。

このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー

2011-162768 2011-164402 2011-164259 2011-164255 2011-166021 2011-165886 2011-156655 2011-156863 2011-158585 2011-157313 2011-158891 2011-158814 2011-154059 2011-150023 2011-151125

※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。信越化学工業株式会社の知財の動向チェックに便利です。

ログインについて

ランキング一覧に戻る

特許ランキング

2024年特許出願件数	2024年特許取得件数
2023年特許出願件数	2023年特許取得件数
2022年特許出願件数	2022年特許取得件数
2021年特許出願件数	2021年特許取得件数
2020年特許出願件数	2020年特許取得件数
2019年特許出願件数	2019年特許取得件数
2018年特許出願件数	2018年特許取得件数
2017年特許出願件数	2017年特許取得件数
2016年特許出願件数	2016年特許取得件数
2015年特許出願件数	2015年特許取得件数
2014年特許出願件数	2014年特許取得件数
2013年特許出願件数	2013年特許取得件数
2012年特許出願件数	2012年特許取得件数