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■ 2014年 出願公開件数ランキング 第113位 412件
(2013年:第95位 489件)
■ 2014年 特許取得件数ランキング 第66位 549件
(2013年:第86位 460件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
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特許 5565758 | 硬化性でグリース状の熱伝導性シリコーン組成物および半導体装置 | 2014年 8月 6日 | |
特許 5565293 | ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法 | 2014年 8月 6日 | |
特許 5567865 | 発光ダイオード用付加硬化型シリコーン樹脂組成物及び発光ダイオード | 2014年 8月 6日 | |
特許 5561192 | 高分子化合物及びこれを用いた化学増幅ポジ型レジスト組成物並びにパターン形成方法 | 2014年 7月30日 | |
特許 5563994 | チャノホソガの交信撹乱剤 | 2014年 7月30日 | |
特許 5561184 | スルホニウム塩 | 2014年 7月30日 | |
特許 5562728 | 耐油性付加硬化型シリコーン組成物並びに耐油性シリコーンゴム | 2014年 7月30日 | |
特許 5562574 | 熱伝導性接着剤 | 2014年 7月30日 | |
特許 5558312 | 非水電解質二次電池用負極材の製造方法 | 2014年 7月23日 | |
特許 5557770 | 熱硬化性エポキシ樹脂組成物、光半導体装置用反射部材及び光半導体装置 | 2014年 7月23日 | |
特許 5557158 | フリップチップ接続用アンダーフィル剤、及びそれを用いる半導体装置の製造方法 | 2014年 7月23日 | |
特許 5556773 | ナフタレン誘導体及びその製造方法、レジスト下層膜材料、レジスト下層膜形成方法及びパターン形成方法 | 2014年 7月23日 | |
特許 5556452 | パターン形成方法 | 2014年 7月23日 | |
特許 5556765 | ArF液浸露光用化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 | 2014年 7月23日 | |
特許 5556451 | パターン形成方法 | 2014年 7月23日 |
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5565758 5565293 5567865 5561192 5563994 5561184 5562728 5562574 5558312 5557770 5557158 5556773 5556452 5556765 5556451
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