三星電子株式会社
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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第57位 657件
（
2010年：第73位 608件）
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第31位 872件
（
2010年：第31位 731件）
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三星電子株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 4644594 | ３次元映像ディスプレイ装置 | 2011年 3月 2日 | |
| 特許 4644421 | 液晶表示装置及びその駆動方法 | 2011年 3月 2日 | |
| 特許 4644417 | 薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 | 2011年 3月 2日 | |
| 特許 4644412 | 液晶表示装置及びその駆動方法 | 2011年 3月 2日 | |
| 特許 4644322 | ファイルサーバを利用した自動化システムとその制御方法 | 2011年 3月 2日 | |
| 特許 4643774 | 液晶表示装置及びその製造方法 | 2011年 3月 2日 | |
| 特許 4643914 | 音声合成方法および装置 | 2011年 3月 2日 | |
| 特許 4643911 | 音声認識方法及び装置 | 2011年 3月 2日 | |
| 特許 4643896 | 垂直磁気記録媒体 | 2011年 3月 2日 | |
| 特許 4642961 | 半導体メモリ装置 | 2011年 3月 2日 | |
| 特許 4642738 | 熱補助磁気記録ヘッド | 2011年 3月 2日 | |
| 特許 4642344 | 一回のプログラミングが可能なＲＯＭを具備する半導体装置及びその製造方法 | 2011年 3月 2日 | |
| 特許 4642340 | 誘電膜工程を単純化して半導体素子のキャパシタを製造する方法及びその誘電膜を形成する装置 | 2011年 3月 2日 | |
| 特許 4642261 | 自己整合コンタクトを有する半導体メモリ素子およびその製造方法 | 2011年 3月 2日 | |
| 特許 4642048 | 遅延電場を用いたイオンエネルギー分布分析器に基づいたイオン分析システム | 2011年 3月 2日 |
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4644594 4644421 4644417 4644412 4644322 4643774 4643914 4643911 4643896 4642961 4642738 4642344 4642340 4642261 4642048
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