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JX日鉱日石金属株式会社

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  2011年 出願公開件数ランキング    第215位 199件 上昇2010年:第1800位 14件)

  2011年 特許取得件数ランキング    第185位 194件 上昇2010年:第841位 28件)

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公報番号発明の名称公報発行日備考
特開 2011-168890 タンタルスパッタリングターゲット 2011年 9月 1日
特開 2011-166018 プリント配線板用銅箔 2011年 8月25日
特開 2011-159645 半導体エピタキシャルウェハの製造方法、半導体エピタキシャルウェハ及び半導体素子 2011年 8月18日
特開 2011-154833 アルミニウム箔と正極活物質の分離方法 2011年 8月11日
特開 2011-153360 両面銅張積層板用圧延銅合金箔、及びそれを用いた両面銅張積層板の製造方法 2011年 8月11日
特開 2011-148192 銅張積層板の製造方法、それに用いる銅箔、及び銅張積層板のラミネート装置。 2011年 8月 4日
再表 2009-128289 リチウムイオン電池用正極活物質、二次電池用正極及びリチウムイオン電池 2011年 8月 4日
特開 2011-144454 タンタルスパッタリングターゲット 2011年 7月28日
再表 2009-123055 パーティクルの発生の少ないスパッタリングターゲット 2011年 7月28日
再表 2009-123144 耐摩耗性、挿入性及び耐熱性に優れた銅合金すずめっき条 2011年 7月28日
再表 2009-119196 磁性材ターゲット用白金粉末、同粉末の製造方法、白金焼結体からなる磁性材ターゲットの製造方法及び同焼結磁性材ターゲット 2011年 7月21日
再表 2009-116213 焼結体ターゲット及び焼結体の製造方法 2011年 7月21日
特開 2011-142071 圧延銅箔、並びにこれを用いた負極集電体、負極板及び二次電池 2011年 7月21日
特開 2011-140428 窒化物系化合物半導体基板の製造方法及び窒化物系化合物半導体自立基板 2011年 7月21日
再表 2009-116432 電解銅箔製造用の電解液 2011年 7月21日

199 件中 106-120 件を表示

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2011-168890 2011-166018 2011-159645 2011-154833 2011-153360 2011-148192 2009-128289 2011-144454 2009-123055 2009-123144 2009-119196 2009-116213 2011-142071 2011-140428 2009-116432

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