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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第215位 199件 (2010年:第1800位 14件)
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第185位 194件 (2010年:第841位 28件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 4750602 | 熱間加工性に優れた銅合金 | 2011年 8月17日 | |
特許 4749862 | 高純度ハフニウム、同ハフニウムからなるターゲット及び同ターゲットを使用して形成された薄膜 | 2011年 8月17日 | |
特許 4750112 | 超高純度銅及びその製造方法並びに超高純度銅からなるボンディングワイヤ | 2011年 8月17日 | |
特許 4745240 | 鉄を主成分とする粉末冶金用金属粉末及び鉄系焼結体 | 2011年 8月10日 | |
特許 4745239 | 鉄を主成分とする粉末冶金用金属粉末及び鉄系焼結体 | 2011年 8月10日 | |
特許 4745319 | 光情報記録媒体 | 2011年 8月10日 | |
特許 4744937 | プリント配線基板用金属材料 | 2011年 8月10日 | |
特許 4745400 | ITOスクラップからの有価金属の回収方法 | 2011年 8月10日 | |
特許 4744938 | プリント配線基板用金属材料 | 2011年 8月10日 | |
特許 4740814 | 耐ウィスカー性に優れた銅合金リフローSnめっき材 | 2011年 8月 3日 | |
特許 4739310 | ゲート酸化膜形成用ハフニウムシリサイドターゲットの製造方法 | 2011年 8月 3日 | |
特許 4739368 | パーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット、バッキングプレート又はスパッタリング装置内の機器及び粗化方法 | 2011年 8月 3日 | |
特許 4734605 | 樹脂組成物 | 2011年 7月27日 | |
特許 4733729 | ZnTe系化合物半導体の表面処理方法および半導体装置の製造方法 | 2011年 7月27日 | 共同出願 |
特許 4728460 | 窒化ガリウム系化合物半導体単結晶の製造方法 | 2011年 7月20日 |
194 件中 76-90 件を表示
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4750602 4749862 4750112 4745240 4745239 4745319 4744937 4745400 4744938 4740814 4739310 4739368 4734605 4733729 4728460
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11月25日(月) -
11月25日(月) - 岐阜 各務原市
11月26日(火) -
11月26日(火) - 東京 港区
11月26日(火) -
11月26日(火) -
11月26日(火) -
11月27日(水) - 東京 港区
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月28日(木) - 東京 港区
11月28日(木) - 島根 松江市
11月28日(木) - 京都 京都市
11月28日(木) -
11月28日(木) - 大阪 大阪市
11月28日(木) -
11月29日(金) - 東京 港区
11月29日(金) - 茨城 ひたちなか市
11月30日(土) -
12月1日(日) -
12月1日(日) -
11月25日(月) -
12月2日(月) - 滋賀 草津市
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12月4日(水) - 東京 千代田区
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12月6日(金) -
12月6日(金) - 愛知 豊橋市花田町
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