特許ランキング - 出願人詳細情報 -

ＪＸ日鉱日石金属株式会社

※ ログインすれば出願人(ＪＸ日鉱日石金属株式会社)をリストに登録できます。ログインについて

　■　2011年出願公開件数ランキング　　　第215位　199件（2010年：第1800位　14件）

　■　2011年特許取得件数ランキング　　　第185位　194件（2010年：第841位　28件）

（ランキング更新日：2024年11月29日）筆頭出願人である出願のみカウントしています

2012年 2013年 2014年 2015年 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年

ＪＸ日鉱日石金属株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称	公報発行日	備考
特許 4750602	熱間加工性に優れた銅合金	2011年 8月17日
特許 4749862	高純度ハフニウム、同ハフニウムからなるターゲット及び同ターゲットを使用して形成された薄膜	2011年 8月17日
特許 4750112	超高純度銅及びその製造方法並びに超高純度銅からなるボンディングワイヤ	2011年 8月17日
特許 4745240	鉄を主成分とする粉末冶金用金属粉末及び鉄系焼結体	2011年 8月10日
特許 4745239	鉄を主成分とする粉末冶金用金属粉末及び鉄系焼結体	2011年 8月10日
特許 4745319	光情報記録媒体	2011年 8月10日
特許 4744937	プリント配線基板用金属材料	2011年 8月10日
特許 4745400	ＩＴＯスクラップからの有価金属の回収方法	2011年 8月10日
特許 4744938	プリント配線基板用金属材料	2011年 8月10日
特許 4740814	耐ウィスカー性に優れた銅合金リフローＳｎめっき材	2011年 8月 3日
特許 4739310	ゲート酸化膜形成用ハフニウムシリサイドターゲットの製造方法	2011年 8月 3日
特許 4739368	パーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット、バッキングプレート又はスパッタリング装置内の機器及び粗化方法	2011年 8月 3日
特許 4734605	樹脂組成物	2011年 7月27日
特許 4733729	ＺｎＴｅ系化合物半導体の表面処理方法および半導体装置の製造方法	2011年 7月27日	共同出願
特許 4728460	窒化ガリウム系化合物半導体単結晶の製造方法	2011年 7月20日

194 件中 76-90 件を表示

... 6

※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。

このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー

4750602 4749862 4750112 4745240 4745239 4745319 4744937 4745400 4744938 4740814 4739310 4739368 4734605 4733729 4728460

※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。ＪＸ日鉱日石金属株式会社の知財の動向チェックに便利です。

ログインについて

ランキング一覧に戻る

特許ランキング

2024年特許出願件数	2024年特許取得件数
2023年特許出願件数	2023年特許取得件数
2022年特許出願件数	2022年特許取得件数
2021年特許出願件数	2021年特許取得件数
2020年特許出願件数	2020年特許取得件数
2019年特許出願件数	2019年特許取得件数
2018年特許出願件数	2018年特許取得件数
2017年特許出願件数	2017年特許取得件数
2016年特許出願件数	2016年特許取得件数
2015年特許出願件数	2015年特許取得件数
2014年特許出願件数	2014年特許取得件数
2013年特許出願件数	2013年特許取得件数
2012年特許出願件数	2012年特許取得件数