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■ 2016年 出願公開件数ランキング 第1509位 16件
(2015年:第741位 41件)
■ 2016年 特許取得件数ランキング 第506位 54件
(2015年:第464位 55件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2016-225508 | イオンビームエッチング装置、およびイオンビーム発生装置 | 2016年12月28日 | |
特開 2016-166426 | スパッタリング装置および基板処理装置 | 2016年 9月15日 | |
再表 2014-69094 | 半導体装置の製造方法、イオンビームエッチング装置及び制御装置 | 2016年 9月 8日 | |
再表 2014-64860 | 基板処理装置 | 2016年 9月 5日 | |
特開 2016-149279 | 質量分析装置 | 2016年 8月18日 | |
特開 2016-141825 | スパッタリング装置 | 2016年 8月 8日 | |
再表 2014-24358 | トンネル磁気抵抗素子の製造装置 | 2016年 7月25日 | |
再表 2014-10148 | スパッタリング装置および磁石ユニット | 2016年 6月20日 | |
再表 2014-2328 | スパッタリング装置およびスパッタリング方法 | 2016年 5月30日 | |
再表 2014-2336 | イオンビーム処理方法およびイオンビーム処理装置 | 2016年 5月30日 | |
再表 2014-2465 | エピタキシャル膜形成方法、スパッタリング装置、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、および照明装置 | 2016年 5月30日 | |
特開 2016-89233 | 成膜装置 | 2016年 5月23日 | |
特開 2016-42496 | 放電空間を画成する部材およびその再生処理方法 | 2016年 3月31日 | |
再表 2013-183202 | スパッタリング装置およびスパッタリング成膜方法 | 2016年 1月28日 | |
特開 2016-12738 | 磁気抵抗効果素子の製造方法 | 2016年 1月21日 |
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2016-225508 2016-166426 2014-69094 2014-64860 2016-149279 2016-141825 2014-24358 2014-10148 2014-2328 2014-2336 2014-2465 2016-89233 2016-42496 2013-183202 2016-12738
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