ホーム > 特許ランキング > キヤノンアネルバ株式会社 > 2016年 > 出願公開一覧
※ ログインすれば出願人(キヤノンアネルバ株式会社)をリストに登録できます。ログインについて
■ 2016年 出願公開件数ランキング 第1509位 16件
(2015年:第741位 41件)
■ 2016年 特許取得件数ランキング 第506位 54件
(2015年:第464位 55件)
(ランキング更新日:2025年3月26日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
2011年 2012年 2013年 2014年 2015年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年 2025年
公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特開 2016-225508 | イオンビームエッチング装置、およびイオンビーム発生装置 | 2016年12月28日 | |
特開 2016-166426 | スパッタリング装置および基板処理装置 | 2016年 9月15日 | |
再表 2014-69094 | 半導体装置の製造方法、イオンビームエッチング装置及び制御装置 | 2016年 9月 8日 | |
再表 2014-64860 | 基板処理装置 | 2016年 9月 5日 | |
特開 2016-149279 | 質量分析装置 | 2016年 8月18日 | |
特開 2016-141825 | スパッタリング装置 | 2016年 8月 8日 | |
再表 2014-24358 | トンネル磁気抵抗素子の製造装置 | 2016年 7月25日 | |
再表 2014-10148 | スパッタリング装置および磁石ユニット | 2016年 6月20日 | |
再表 2014-2328 | スパッタリング装置およびスパッタリング方法 | 2016年 5月30日 | |
再表 2014-2336 | イオンビーム処理方法およびイオンビーム処理装置 | 2016年 5月30日 | |
再表 2014-2465 | エピタキシャル膜形成方法、スパッタリング装置、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、および照明装置 | 2016年 5月30日 | |
特開 2016-89233 | 成膜装置 | 2016年 5月23日 | |
特開 2016-42496 | 放電空間を画成する部材およびその再生処理方法 | 2016年 3月31日 | |
再表 2013-183202 | スパッタリング装置およびスパッタリング成膜方法 | 2016年 1月28日 | |
特開 2016-12738 | 磁気抵抗効果素子の製造方法 | 2016年 1月21日 |
16 件中 1-15 件を表示
※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。
このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー
2016-225508 2016-166426 2014-69094 2014-64860 2016-149279 2016-141825 2014-24358 2014-10148 2014-2328 2014-2336 2014-2465 2016-89233 2016-42496 2013-183202 2016-12738
※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。キヤノンアネルバ株式会社の知財の動向チェックに便利です。
3月26日(水) - 東京 港区
3月26日(水) -
3月26日(水) -
3月26日(水) -
3月26日(水) -
3月26日(水) - 東京 港区
4月1日(火) - 山口 山口市
4月1日(火) -
4月2日(水) -
4月2日(水) -
4月4日(金) -
4月1日(火) - 山口 山口市
〒166-0003 東京都杉並区高円寺南2-50-2 YSビル3F 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
〒106-6111 東京都港区六本木6丁目10番1号 六本木ヒルズ森タワー 11階 横浜駅前オフィス: 〒220-0004 神奈川県横浜市西区北幸1丁目11ー1 水信ビル 7階 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
大阪府大阪市中央区北浜3丁目5-19 淀屋橋ホワイトビル2階 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング