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サイクリスタル ゲーエムベーハー
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■ 2024年 出願公開件数ランキング 第3095位 6件
（
2023年：第8309位 2件）
■ 2024年 特許取得件数ランキング 第10406位 1件
（2023年：第27627位 0件）
（ランキング更新日：2024年12月27日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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サイクリスタル ゲーエムベーハーの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特表 2024-539552 | 一時的な保護酸化物層を有するＳｉＣ種結晶を用いた、品質の向上したＳｉＣバルク単結晶の製造方法、及び保護酸化物層を有するＳｉＣ種結晶 | 2024年10月29日 | |
| 特開 2024-133020 | 半導体材料の少なくとも１つの単結晶を成長させる昇華システム及び方法 | 2024年10月 1日 | |
| 特開 2024-133021 | 少なくとも１つの単結晶を成長させる昇華システムおよび方法 | 2024年10月 1日 | |
| 特開 2024-122949 | 高品質の半導体単結晶を製造するためのシステム、および高品質の半導体単結晶を製造する方法 | 2024年 9月10日 | |
| 特開 2024-112785 | 高品質の半導体単結晶を製造するためのシステム、および高品質の半導体単結晶を製造する方法 | 2024年 8月21日 | |
| 特開 2024-14982 | 亀裂低減に最適な格子面配向を持つＳｉＣ結晶基板およびその製造方法 | 2024年 2月 1日 |
6 件中 1-6 件を表示
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2024-539552 2024-133020 2024-133021 2024-122949 2024-112785 2024-14982
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