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■ 2022年 出願公開件数ランキング 第201位 184件
(2021年:第1420位 17件)
■ 2022年 特許取得件数ランキング 第623位 41件
(2021年:第2482位 6件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特表 2022-534538 | ディープアイソレーション構造体を備えた3次元メモリデバイス | 2022年 8月 1日 | |
特表 2022-534430 | 三次元メモリデバイス、および三次元メモリデバイスを形成するための方法 | 2022年 7月29日 | |
特表 2022-534431 | 結合された3次元メモリデバイスおよびそれを形成するための方法 | 2022年 7月29日 | |
特表 2022-534200 | 半導体デバイス | 2022年 7月28日 | |
特表 2022-534274 | 3次元相変化メモリデバイス | 2022年 7月28日 | |
特表 2022-534276 | プログラム障害を低減できるメモリデバイスとその消去方法 | 2022年 7月28日 | |
特表 2022-534307 | 新規な3D NANDメモリデバイスおよびこれを形成する方法 | 2022年 7月28日 | |
特表 2022-534308 | メモリストリングにポケット構造を有する三次元メモリデバイス、およびその方法 | 2022年 7月28日 | |
特表 2022-534309 | 二段デッキ三次元NANDメモリ、およびそれを製作するための方法 | 2022年 7月28日 | |
特表 2022-534310 | プログラミング動作を実行する方法および関連するメモリデバイス | 2022年 7月28日 | |
特表 2022-533886 | メモリデバイス | 2022年 7月27日 | |
特表 2022-533896 | バックサイドソースコンタクトを備える3次元メモリデバイス | 2022年 7月27日 | |
特表 2022-533780 | 高度なメモリ構造およびデバイス | 2022年 7月25日 | |
特表 2022-533461 | 3次元メモリデバイスおよびその製造方法 | 2022年 7月22日 | |
特表 2022-532987 | ドレイン選択ゲートカット構造を備えた三次元メモリデバイスおよびこれを形成するための方法 | 2022年 7月21日 |
184 件中 61-75 件を表示
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2022-534538 2022-534430 2022-534431 2022-534200 2022-534274 2022-534276 2022-534307 2022-534308 2022-534309 2022-534310 2022-533886 2022-533896 2022-533780 2022-533461 2022-532987
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