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長江存儲科技有限責任公司

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  2022年 出願公開件数ランキング    第201位 184件 上昇2021年:第1420位 17件)

  2022年 特許取得件数ランキング    第623位 41件 上昇2021年:第2482位 6件)

(ランキング更新日:2025年2月14日)筆頭出願人である出願のみカウントしています

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特表 2022-534538 ディープアイソレーション構造体を備えた3次元メモリデバイス 2022年 8月 1日
特表 2022-534430 三次元メモリデバイス、および三次元メモリデバイスを形成するための方法 2022年 7月29日
特表 2022-534431 結合された3次元メモリデバイスおよびそれを形成するための方法 2022年 7月29日
特表 2022-534200 半導体デバイス 2022年 7月28日
特表 2022-534274 3次元相変化メモリデバイス 2022年 7月28日
特表 2022-534276 プログラム障害を低減できるメモリデバイスとその消去方法 2022年 7月28日
特表 2022-534307 新規な3D NANDメモリデバイスおよびこれを形成する方法 2022年 7月28日
特表 2022-534308 メモリストリングにポケット構造を有する三次元メモリデバイス、およびその方法 2022年 7月28日
特表 2022-534309 二段デッキ三次元NANDメモリ、およびそれを製作するための方法 2022年 7月28日
特表 2022-534310 プログラミング動作を実行する方法および関連するメモリデバイス 2022年 7月28日
特表 2022-533886 メモリデバイス 2022年 7月27日
特表 2022-533896 バックサイドソースコンタクトを備える3次元メモリデバイス 2022年 7月27日
特表 2022-533780 高度なメモリ構造およびデバイス 2022年 7月25日
特表 2022-533461 3次元メモリデバイスおよびその製造方法 2022年 7月22日
特表 2022-532987 ドレイン選択ゲートカット構造を備えた三次元メモリデバイスおよびこれを形成するための方法 2022年 7月21日

184 件中 61-75 件を表示

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2022-534538 2022-534430 2022-534431 2022-534200 2022-534274 2022-534276 2022-534307 2022-534308 2022-534309 2022-534310 2022-533886 2022-533896 2022-533780 2022-533461 2022-532987

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