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長江存儲科技有限責任公司

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  2024年 出願公開件数ランキング    第571位 49件 上昇2023年:第578位 52件)

  2024年 特許取得件数ランキング    第440位 63件 下降2023年:第276位 121件)

(ランキング更新日:2026年4月20日)筆頭出願人である出願のみカウントしています

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特表 2024-546538 チップパッケージ構造、チップパッケージ構造の製造方法、および電子デバイス 2024年12月26日
特開 2024-178437 メモリデバイス 2024年12月24日
特開 2024-161288 メモリデバイス 2024年11月15日
特開 2024-159919 半導体デバイス用パッド構造 2024年11月 8日
特表 2024-540783 メモリシステムおよびその動作 2024年11月 6日
特開 2024-155917 バックサイドソースコンタクトを備える3次元メモリデバイスを形成するための方法 2024年10月31日
特開 2024-153842 半導体デバイス及びその形成方法 2024年10月29日
特開 2024-149790 不揮発性メモリデバイスおよび制御方法 2024年10月18日
特表 2024-536554 分割ドレイン選択ゲート線を伴う三次元メモリデバイス、および三次元メモリデバイスを形成するための方法 2024年10月 4日
特開 2024-129028 フリップチップスタッキング構造体およびそれを形成するための方法 2024年 9月26日
特開 2024-125387 NANDフラッシュメモリ用の放電回路 2024年 9月18日
特開 2024-123102 メモリデバイス、システム、および、メモリデバイスを動作させるための方法 2024年 9月10日
特開 2024-106993 論理-物理(L2P)テーブルにキャッシュするためのオンダイスタティックランダムアクセスメモリ(SRAM) 2024年 8月 8日
特開 2024-103498 バックサイド相互接続構造を備える3次元メモリデバイス 2024年 8月 1日
特開 2024-83419 3次元メモリデバイスにおける入力/出力基準電圧トレーニング方法 2024年 6月21日

49 件中 1-15 件を表示

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2024-546538 2024-178437 2024-161288 2024-159919 2024-540783 2024-155917 2024-153842 2024-149790 2024-536554 2024-129028 2024-125387 2024-123102 2024-106993 2024-103498 2024-83419

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