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■ 2022年 出願公開件数ランキング 第201位 184件 (2021年:第1420位 17件)
■ 2022年 特許取得件数ランキング 第623位 41件 (2021年:第2482位 6件)
(ランキング更新日:2024年11月22日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特表 2022-534943 | ソース構造を伴う三次元メモリデバイス、およびその三次元メモリデバイスを形成するための方法 | 2022年 8月 4日 | |
特表 2022-534945 | ローカルワードラインドライバデバイス、メモリデバイス、およびその製造方法 | 2022年 8月 4日 | |
特表 2022-535001 | 不良カラム修復を提供するメモリデバイスおよびその動作方法 | 2022年 8月 4日 | |
特表 2022-535022 | 3次元メモリデバイスにおいて階段を形成するための方法および構造 | 2022年 8月 4日 | |
特表 2022-535023 | 3Dメモリデバイスをプログラムする方法および関係する3Dメモリデバイス | 2022年 8月 4日 | |
特表 2022-535024 | 三次元メモリデバイス、および三次元メモリデバイスを形成するための方法 | 2022年 8月 4日 | |
特表 2022-534730 | 垂直メモリデバイス | 2022年 8月 3日 | |
特表 2022-534758 | 三次元メモリのためのセル電流測定 | 2022年 8月 3日 | |
特表 2022-534613 | 三次元メモリデバイスおよびその製作方法 | 2022年 8月 2日 | |
特表 2022-534614 | バックサイドアイソレーション構造体を備えた3次元メモリデバイス | 2022年 8月 2日 | |
特表 2022-534615 | 3次元NANDのためのビットラインドライバーのアイソレーションのための構造および方法 | 2022年 8月 2日 | |
特表 2022-534616 | 結合された3次元メモリデバイスおよびそれを形成するための方法 | 2022年 8月 2日 | |
特表 2022-534490 | ゲート線スリットがない3次元メモリデバイスおよびそれを形成するための方法 | 2022年 8月 1日 | |
特表 2022-534536 | 三次元メモリデバイスおよびその製作方法 | 2022年 8月 1日 | |
特表 2022-534537 | ソース構造を伴う三次元メモリデバイス、およびその三次元メモリデバイスを形成するための方法 | 2022年 8月 1日 |
184 件中 46-60 件を表示
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2022-534943 2022-534945 2022-535001 2022-535022 2022-535023 2022-535024 2022-534730 2022-534758 2022-534613 2022-534614 2022-534615 2022-534616 2022-534490 2022-534536 2022-534537
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11月22日(金) -
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11月22日(金) - 東京 港区
11月22日(金) -
11月22日(金) - 大阪 大阪市
11月22日(金) -
11月22日(金) -
11月25日(月) -
11月25日(月) - 岐阜 各務原市
11月26日(火) -
11月26日(火) - 東京 港区
11月26日(火) -
11月26日(火) -
11月26日(火) -
11月27日(水) - 東京 港区
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月28日(木) - 東京 港区
11月28日(木) - 島根 松江市
11月28日(木) - 京都 京都市
11月28日(木) -
11月28日(木) - 大阪 大阪市
11月28日(木) -
11月29日(金) - 東京 港区
11月29日(金) - 茨城 ひたちなか市
11月30日(土) -
12月1日(日) -
12月1日(日) -
11月25日(月) -
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