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■ 2025年 出願公開件数ランキング 第449位 67件
(
2024年:第571位 49件)
■ 2025年 特許取得件数ランキング 第427位 61件
(
2024年:第440位 63件)
(ランキング更新日:2026年10月19日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2025-183428 | 3次元メモリデバイスおよびそれを形成するための方法 | 2025年12月16日 | |
| 特開 2025-176072 | 3次元NANDメモリおよびその製造方法 | 2025年12月 3日 | |
| 特開 2025-175024 | 半導体デバイス、メモリデバイス、及びメモリシステム | 2025年11月28日 | |
| 特開 2025-174981 | 半導体メモリデバイスおよび半導体メモリデバイスを形成するための方法 | 2025年11月28日 | |
| 特表 2025-537449 | 電子デバイス、メモリシステム、及び電力制御方法 | 2025年11月18日 | |
| 特開 2025-169953 | 3次元メモリデバイスにおける階段構造の形成 | 2025年11月14日 | |
| 特開 2025-166014 | 3次元メモリデバイス内の階段構造およびそれを形成するための方法 | 2025年11月 5日 | |
| 特開 2025-166004 | チップパッケージ構造、およびチップパッケージ構造の製造方法 | 2025年11月 5日 | |
| 特開 2025-163305 | メモリデバイスおよびそのプログラム動作 | 2025年10月28日 | |
| 特開 2025-161737 | メモリシステムにおけるデータの記憶 | 2025年10月24日 | |
| 特表 2025-534927 | 周辺回路、メモリデバイスおよび抵抗器オフセット較正のための方法 | 2025年10月22日 | |
| 特開 2025-160271 | バックサイド相互接続構造を備える3次元メモリデバイス | 2025年10月22日 | |
| 特表 2025-534370 | メモリデバイスおよびその読取り動作 | 2025年10月15日 | |
| 特表 2025-533698 | ダミーパッドを有する半導体デバイス及びその形成方法 | 2025年10月 9日 | |
| 特表 2025-531700 | 復号器、復号方法、メモリコントローラ、およびメモリシステム | 2025年 9月25日 |
67 件中 1-15 件を表示
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2025-183428 2025-176072 2025-175024 2025-174981 2025-537449 2025-169953 2025-166014 2025-166004 2025-163305 2025-161737 2025-534927 2025-160271 2025-534370 2025-533698 2025-531700
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