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長江存儲科技有限責任公司
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■ 2025年 出願公開件数ランキング 第453位 27件
（
2024年：第571位 49件）
■ 2025年 特許取得件数ランキング 第432位 26件
（2024年：第440位 63件）
（ランキング更新日：2025年6月9日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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長江存儲科技有限責任公司の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特表 2025-507405 | ３次元ＮＡＮＤメモリにおけるワード線コンタクトのためのバリア層およびその製造方法 | 2025年 3月18日 | |
| 特表 2025-507440 | ３次元メモリデバイスおよびそれを形成するための方法 | 2025年 3月18日 | |
| 特表 2025-506868 | チップの温度を制御するための方法および関連するチップ | 2025年 3月13日 | |
| 特表 2025-506939 | ３次元不揮発性メモリフロアプランアーキテクチャ | 2025年 3月13日 | |
| 特開 2025-31731 | 新規の３Ｄ ＮＡＮＤメモリデバイスおよびそれを形成する方法 | 2025年 3月 7日 | |
| 特表 2025-506056 | 垂直トランジスタを有するメモリデバイスおよびそれを形成するための方法 | 2025年 3月 5日 | |
| 特表 2025-504726 | メモリデバイスの読み出し動作における読み出しオフセット補償 | 2025年 2月19日 | |
| 特開 2025-14056 | 三次元メモリのためのコンタクト構造 | 2025年 1月28日 | |
| 特表 2025-501670 | ３Ｄ ＮＡＮＤメモリの最良読み込み基準電圧探索 | 2025年 1月23日 | |
| 特表 2025-501663 | 遮蔽要素を有する半導体デバイス | 2025年 1月22日 | |
| 特開 2025-4245 | 半導体構造および半導体構造の形成方法 | 2025年 1月14日 | |
| 特開 2025-927 | コンタクト構造体を形成するための方法およびその半導体デバイス | 2025年 1月 7日 |
27 件中 16-27 件を表示
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2025-507405 2025-507440 2025-506868 2025-506939 2025-31731 2025-506056 2025-504726 2025-14056 2025-501670 2025-501663 2025-4245 2025-927
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