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■ 2019年 出願公開件数ランキング 第937位 31件
(2018年:第993位 27件)
■ 2019年 特許取得件数ランキング 第1151位 16件
(2018年:第1089位 18件)
(ランキング更新日:2025年3月3日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2019-212902 | 炭化ケイ素体を有する半導体デバイスおよび製造方法 | 2019年12月12日 | |
特開 2019-208018 | ワイヤ放電加工によるSiC材料のスライシング | 2019年12月 5日 | |
特開 2019-198067 | デバイス回路用ドライバ回路 | 2019年11月14日 | |
特開 2019-186546 | 炭化ケイ素含有結晶基板の処理方法、炭化ケイ素チップ、及び処理チャンバー | 2019年10月24日 | |
特開 2019-179922 | 半導体装置及び半導体装置の電界効果トランジスタを制御する回路 | 2019年10月17日 | |
特開 2019-176142 | 炭化ケイ素内における半導体デバイスの形成 | 2019年10月10日 | |
特開 2019-153782 | パワー半導体モジュール装置及びその製造方法 | 2019年 9月12日 | |
特開 2019-153784 | シリコンカーバイド半導体部品 | 2019年 9月12日 | |
特開 2019-139764 | メモリコントローラ、メモリシステム及びメモリ装置を使用する方法 | 2019年 8月22日 | |
特開 2019-125778 | 多種多様な外部接点を含む半導体チップ、チップ配列、及び半導体チップの位置のアライメントをチェックする方法 | 2019年 7月25日 | |
特開 2019-110288 | dV/dt制御性を備えたIGBTを製造する方法 | 2019年 7月 4日 | |
特開 2019-110522 | バイト誤り位置信号の決定および使用 | 2019年 7月 4日 | |
特開 2019-96878 | エッジ終端構造を有するシリコンカーバイド半導体部品 | 2019年 6月20日 | |
特開 2019-97378 | 電力コンバータの電力段の適応型制御のためのボディダイオード導通検出器 | 2019年 6月20日 | |
特開 2019-91892 | dV/dt制御性を備えたIGBT | 2019年 6月13日 |
31 件中 1-15 件を表示
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2019-212902 2019-208018 2019-198067 2019-186546 2019-179922 2019-176142 2019-153782 2019-153784 2019-139764 2019-125778 2019-110288 2019-110522 2019-96878 2019-97378 2019-91892
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特許制度に詳しい方にこそ知って欲しい意匠権の使い方 ~コスパの高い意匠権を使って事業を守る方法を、特許権と比較して解説~
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