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■ 2024年 出願公開件数ランキング 第3594位 5件 (2023年:第3738位 5件)
■ 2024年 特許取得件数ランキング 第3143位 5件 (2023年:第2734位 6件)
(ランキング更新日:2025年1月22日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特表 2024-543230 | 共有される再結晶化およびドーパント活性化ステップで3D回路を製造するための方法 | 2024年11月19日 | |
特表 2024-541075 | 電荷トラップ層を備えた支持基板を準備するためのプロセス | 2024年11月 6日 | |
特開 2024-128100 | 高周波デバイス用の基板を製造するための方法 | 2024年 9月20日 | |
特表 2024-521573 | 改善された電気特性を有する、炭化ケイ素から作製された動作層を備える半導体構造体を製造するための方法 | 2024年 6月 3日 | |
特表 2024-521248 | 多層構造の製造方法 | 2024年 5月30日 | |
特開 2024-22682 | ハイブリッド構造 | 2024年 2月16日 | |
特表 2024-501139 | 薄層を転写するためのドナー基板及び関連する転写方法 | 2024年 1月11日 |
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2024-543230 2024-541075 2024-128100 2024-521573 2024-521248 2024-22682 2024-501139
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