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ソイテック

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公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特表 2025-535384	基板上に圧電層を製造するためのプロセス	2025年10月24日
特表 2025-533337	圧電薄膜転写方法に用いられるドナー基板を製造する方法	2025年10月 6日
特開 2025-123563	導電性接合界面を含む半導体構造、および関連する製造プロセス	2025年 8月22日
特表 2025-526582	リチウム含有強誘電体材料で構成されるシングルドメイン薄層の調製方法	2025年 8月15日
特表 2025-524741	原子種の拡散を防止するためのバリア層を備えた構造体を製造するための方法	2025年 7月31日
特表 2025-522620	原子種の拡散に対するバリアとして作用する層を含む構造体を製造するためのプロセス	2025年 7月15日
特表 2025-517058	ビアを備える基板および関連する製造方法	2025年 6月 3日
特表 2025-516227	圧電層に埋設された電極を有する弾性表面波デバイス、並びにその設計及び生産	2025年 5月27日
特表 2025-515711	複数のドナーウエハに脆化面を形成するための注入ホイール	2025年 5月20日
特表 2025-515945	金属材料の薄層を組み込んだ表面音響波デバイス	2025年 5月20日
特表 2025-514918	ビアを備える基板および関連する製造方法	2025年 5月13日
特表 2025-510485	薄膜を支持基板上に転写するための方法	2025年 4月15日
特表 2025-506513	基板と層との間の界面の弱化を監視する方法およびかかる監視を可能にする装置	2025年 3月11日
特表 2025-505042	薄膜を支持基板上に転写するための方法	2025年 2月19日
特表 2025-504573	薄膜を支持基板上に転写するための方法	2025年 2月12日

16 件中 1-15 件を表示

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2025-535384 2025-533337 2025-123563 2025-526582 2025-524741 2025-522620 2025-517058 2025-516227 2025-515711 2025-515945 2025-514918 2025-510485 2025-506513 2025-505042 2025-504573

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